【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例是有关于半导体技术，且特别是有关于半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、半导体集成电路(integrated circuit，ic)产业已经历了快速成长。在集成电路材料及设计上的技术进步产生了数代集成电路，每一代都比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路的发展史中，功能密度(即每一晶片区互连的装置数目)增加，同时几何尺寸(即制造过程中所产生的最小的组件或线路)缩小。此元件尺寸微缩化的制程提供增加生产效率与降低相关费用的益处。此元件尺寸微缩化也增加了加工及制造集成电路的复杂性。
2、举例来说，集成电路(ic)技术朝向较小的技术节点进步，已引进多栅极金属氧化物半导体场效晶体管(multi-gate metal-oxide-semiconductor field effecttransistor，multi-gate mosfet或多栅极装置)通过增加栅极通道耦合、降低关态电流及减少短通道效应(short-channel effects，sces)来改善栅极控制。多栅极装置一般代表具有栅极结构或栅极结构的一部分设置于通道区多于一面上方的装置。鳍式场效晶体管(fin-like field effect transistors，finfets)及多桥接通道(multi-bridge-channel，mbc)晶体管为多栅极装置的范例，多栅极装置已成为高效能及低漏电应用的流行及有希望的候选装置。虽然现有的多栅极装置一般对于其预期目的为足够的，但是这些多栅极装置并非在所有方面都令人满意。
1、在一些实施例中，提供半导体装置的制造方法，此方法包含在基底上方形成半导体鳍；在基底上方形成介电层，其中介电层包含沿半导体鳍的侧壁表面延伸的第一部分及设置于半导体鳍上方的第二部分，介电层的第二部分的厚度大于介电层的第一部分的厚度；在基底上方形成虚设栅极电极层；将介电层及虚设栅极电极层图案化，以在半导体鳍的通道区上方形成虚设栅极结构；形成源极/漏极部件耦接半导体鳍的通道区并相邻于虚设栅极结构；以及以栅极堆叠物取代虚设栅极结构。
2、在一些实施例中，提供半导体装置的制造方法，此方法包含在基底上方形成交替的多个第一半导体层及多个第二半导体层的垂直堆叠物；将垂直堆叠物及基底的一部分图案化，以形成第一鳍状结构及第二鳍状结构；形成隔离部件，以将第一鳍状结构与第二鳍状结构隔开；在基底上方沉积氧化层，其中氧化层包含设置于隔离部件正上方的第一部分及设置于第一鳍状结构及第二鳍状结构上方的第二部分，且氧化层的第二部分的厚度不同于氧化层的第一部分的厚度；在氧化层上方形成栅极电极层；移除氧化层的一部分及栅极电极层的一部分，以在第一鳍状结构及第二鳍状结构的通道区上方形成栅极结构；形成源极/漏极部件相邻于栅极结构；选择性移除栅极结构；选择性移除多个第二半导体层；以及形成栅极堆叠物环绕多个第一半导体层并在多个第一半导体层上方。
3、在另外一些实施例中，提供半导体装置的制造方法，此方法包含提供工件，工件包含在一基底上方且通过隔离部件隔开的第一鳍状主动区及第二鳍状主动区；进行选择性沉积制程，以在工件上方形成虚设栅极介电层，其中虚设栅极介电层横跨工件的厚度为不均匀；在虚设栅极介电层上方形成虚设栅极电极层；进行蚀刻制程，以将虚设栅极介电层及虚设栅极电极层图案化，以在第一鳍状主动区及第二鳍状主动区的通道区上方形成虚设栅极结构；在进行蚀刻制程之后，形成源极/漏极部件相邻于虚设栅极结构；以及以栅极堆叠物取代虚设栅极结构。
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1.一种半导体装置的制造方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，更包括：
3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中该介电层的该第三部分的厚度大于或大致等于该介电层的该第一部分的厚度。
4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该介电层的该第二部分包括一凸顶表面。
5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该介电层的该第二部分的侧壁从该介电层的该第一部分的侧壁偏移。
6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，更包括：
7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中形成该源极/漏极部件的步骤包括：
8.一种半导体装置的制造方法，包括：
9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，更包括：
10.一种半导体装置的制造方法，包括：
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，更包括：
3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中该介电层的该第三部分的厚度大于或大致等于该介电层的该第一部分的厚度。
4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该介电层的该第二部分包括一凸顶表面。
5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢玉玲，周鸿儒，吕侑珊，李威养，张志仲，黎耀轩，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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