半导体装置及其制造方法及位准移位器电路制造方法及图纸

一种位准移位器电路的中电压晶体管可包括衬底中的p阱区。此外，中电压晶体管可包括其中包括中电压晶体管的N<supgt;+</supgt;源极/漏极区的n型轻掺杂源极/漏极(NLDD)区。NLDD区中的轻掺杂使得能够减小临限电压(V<subgt;t</subgt;)，同时使得能够在N<supgt;+</supgt;源极/漏极区处进行中电压操作。为了减少因NLDD区中的轻掺杂而导致的中电压晶体管中的电流泄漏的量，可在中电压晶体管的栅极结构之下在NLDD区的一部分之上及/或NLDD区的一部分上包括缓冲层。中电压晶体管的NLDD区及热区能够达成中电压晶体管的临限电压，同时维持相同的电流泄漏效能或减少中电压晶体管中的电流泄漏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及一种半导体装置及其制造方法及位准移位器电路。

技术介绍

1、位准移位器电路(level shifter circuit)是被配置成将电子讯号自第一电压位准移位至第二电压位准的电子电路。诸多电子装置可包括一或多个位准移位器电路，例如静态随机存取存储器(static random-access memory，sram)装置、显示装置的面板驱动器中的驱动器积体电路、及/或输入/输出(input/output，i/o)积体电路以及其他电路。

技术实现思路

1、本申请提供一种半导体装置。所述半导体装置包括位于衬底中的第一掺杂区，第一掺杂区包括第一掺杂剂类型。所述半导体装置包括位于衬底中且与第一掺杂区相邻的第二掺杂区，第二掺杂区包括第二掺杂剂类型。所述半导体装置包括位于衬底中及第一掺杂区上的第一源极/漏极区，第一源极/漏极区包括第二掺杂剂类型。所述半导体装置包括位于衬底中及第二掺杂区上的第二源极/漏极区，第二源极/漏极区包括第二掺杂剂类型。所述半导体装置包括位于第二掺杂区的一部分之上的缓冲层。所述半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二掺杂区中的所述第二掺杂剂类型的掺杂剂浓度相对于所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区中的所述第二掺杂剂类型的掺杂剂浓度而言较小。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述缓冲层在所述缓冲层的第一侧上接触所述栅极氧化物层；且

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二掺杂区的所述延伸区位于所述栅极氧化物层之下的所述第一掺杂区与所述缓冲层之间。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二掺杂区的所述延伸区接触所述栅...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二掺杂区中的所述第二掺杂剂类型的掺杂剂浓度相对于所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区中的所述第二掺杂剂类型的掺杂剂浓度而言较小。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述缓冲层在所述缓冲层的第一侧上接触所述栅极氧化物层；且

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二掺杂区的所述延伸区位于所述栅极氧化物层之下的所述第一掺杂区与所述缓冲层之间。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱振梁，蒋昕志，柳瑞兴，龚达渊，廖大传，姚智文，雷明达，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：