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一种位准移位器电路的中电压晶体管可包括衬底中的p阱区。此外，中电压晶体管可包括其中包括中电压晶体管的N<supgt;+</supgt;源极/漏极区的n型轻掺杂源极/漏极(NLDD)区。NLDD区中的轻掺杂使得能够减小临限电压(V...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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