本发明的实施例提供了一种双端口静态随机存取存储器(SRAM)电路，包括Vdd节点和具有相同结构的第一SRAM单元和第二SRAM单元的双端口静态随机存取存储器(SRAM)单元对。第一SRAM单元是十晶体管SRAM单元，包括第一上拉晶体管和...

一种防止粒子攻击的光罩、系统及用以保护光罩的方法。光罩(reticle)包含围绕图案部分的边界部分，以及设置于边界部分中且穿过边界部分的多个气体开口。气体开口耦合至气体供应。每个气体开口在第一方向上延伸，第一方向倾斜且与在光罩的前表面外...

一种平坦化工具及其操作方法，平坦化工具经组态以监测平坦化工具的一或多个操作参数。平坦化工具可包括基于超导体的监测系统，监测系统经组态以监测由平坦化工具处理的半导体晶圆上的层的厚度。基于超导体的监测系统可包括基于超导体的感测器，感测器经组...

一种半导体装置，包含半导体鳍片。半导体装置包含于半导体鳍片上的多个第一分隔物。半导体装置包含于半导体鳍片上的金属栅极结构，其至少被多个第一分隔物夹在中间。半导体装置包含接触金属栅极结构的栅极电极。金属栅极结构和栅极电极之间的界面具有以第...

提供半导体装置，包括：基板；多个第一和第二通道纳米结构分别位于基板的n型和p型装置区中；栅极介电层围绕每个第一和第二通道纳米结构；n型功函数金属层在栅极介电层上；盖层在n型功函数金属层上，n型功函数金属层和盖层围绕每个第一通道纳米结构，...

本公开实施例提供具有阶梯状隔离区的元件及其制作方法。示例性方法包括：在半导体材料上方形成掩模区段；蚀刻半导体材料以形成第一沟槽，其中第一沟槽具有第一沟槽最大宽度和第一沟槽深度；在第一沟槽中形成涂层，其中涂层具有小于第一沟槽深度的涂层深度...

一种制造半导体装置的方法包括在基板上方形成金属光阻层。图案化金属光阻层以在基板上方形成金属光阻图案。在金属光阻图案上方形成耐蚀刻层组成物以形成耐蚀刻层，耐蚀刻层组成物包括无机组分、有机组分或其组合。

一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包含介电层以及包含于介电层中的电容器结构，其中电容器结构包含第一导电层、在第一导电层上的绝缘层、在绝缘层上的第二导电层，以及在绝缘层与第一导电层及第二导电层的至少一者之间的缓冲层。缓冲层可包含在电容...

本申请的实施例提供了一种图像感测器件，该图像感测器件包括：半导体本体，具有前侧和背侧；光电探测器，位于所述半导本体内；深沟槽隔离结构，延伸到所述半导体本体中以横向地围绕所述光电探测器；以及p掺杂半导体的外延层，衬垫于所述深沟槽隔离结构。...

本公开的各种实施例针对集成芯片及其形成方法。集成芯片包括衬底，衬底包括第一半导体材料和位于衬底的顶表面中的凹陷。吸收结构，设置在凹陷内并且包括不同于第一半导体材料的第二半导体材料。吸收结构具有第一掺杂类型。垂直阱区域设置在衬底内并且位于...

本公开的实施例提供半导体器件结构及其形成方法。该方法包括在相邻的鳍结构之间的隔离区域上方沉积间隔件层，并且间隔件层形成在鳍结构的侧壁和顶部上。该方法还包括在鳍结构之间的间隔件层上形成掩模，并且该掩模的高度基本上小于鳍结构的高度。该方法还...

一种半导体结构的形成方法，可以通过以下方式提供一种半导体结构。在半导体基材上形成半导体鳍片；形成栅极介电质层和栅极电极；在栅极电极上形成硅层；在硅层上形成包含开口的介电质遮罩层；通过执行第一非等向性蚀刻工艺蚀刻开口下方的硅层的一些部位；...

本公开涉及制造EUV光掩模的方法。在一种制造光掩模的方法中，在待蚀刻的光掩模的目标层上方形成具有电路图案的蚀刻掩模层。光掩模包括背部导电层。利用蚀刻硬盖覆盖目标层的边缘部分，同时通过蚀刻硬盖的开口暴露目标层的待蚀刻的区域。通过等离子体蚀...

实施例提供半导体器件结构。半导体器件结构包括位于衬底上方的半导体沟道层，设置在所述半导体沟道层上方的栅极介电层。栅极介电层包括具有第一掺杂剂浓度的偶极元素的第一高K(HK)介电层和具有与第一掺杂剂浓度不同的第二掺杂剂浓度的偶极元素的第二...

存储器器件包括：第一n型晶体管和第二n型晶体管，由第一沟道形成，第一沟道沿着垂直方向延伸并且由第一金属轨道、第二金属轨道、第三金属轨道、第四金属轨道和第五金属轨道包裹；第三n型晶体管和第四n型晶体管，由第二沟道形成，第二沟道沿着垂直方向...

本公开的实施例提供了形成具有平坦钝化表面的RDL结构的方法。一些实施例提供了用于化学机械抛光的停止层，该停止层设置在钝化层下面。一些实施例提供了钝化沉积的额外厚度和用于钝化抛光的牺牲钝化层。一些实施例通过插入伪图案对象来提供修改的RDL...

本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括具有在电路上方形成的重分布层(RDL)的电路。重分布层包括多个金属层。电感器形成在最上面的金属层中，并且电路直接位于电感器下方。凸块下金属化(UBM)层形成在最上面的金属层上和导电连接件形成在UB...

本发明的实施例提供了一种存储器电路，包括阵列，所述阵列包括多个存储器单元；驱动器，其可操作地连接到所述阵列并且被配置为提供控制对所述多个存储器单元中的一个或多个的存取的存取信号；以及可操作地连接到驱动器的时序控制器。时序控制器被配置为：...

一种电压参考电路，包括：第一温度敏感器件，被配置为生成第一电压；第二温度敏感器件，被配置为生成第二电压；以及输出端子，被配置为生成参考电压，该参考电压是第一电压与第二电压之和。第一电压随着绝对温度单调增加。第二电压随着绝对温度单调减小。...

一种光罩护膜及其制造方法，用于EUV光罩的光罩护膜包括附接至框架的薄膜。薄膜包括纳米管、部分覆盖每一纳米管的表面的Ru‑O‑X催化剂结构、以及用以覆盖Ru‑O‑X催化剂结构及每一纳米管的表面的保护层。X为Mo、Ti、Zr或Nb的金属元素...