提供了互连结构及其形成方法。一种互连结构，包括：层间电介质中的接触过孔；第一电介质层中的第一导电特征，第一电介质层设置在层间电介质上方；第一电介质层中的第一衬垫，第一衬垫包括：与第一导电特征的侧壁表面接触的第一部分；以及与第一导电特征的...

本公开提供一种半导体装置，包括位于基板上方并且沿着第一方向纵向延伸的叉片结构。叉片结构具有介电墙，介电墙将n型纳米结构堆叠与p型纳米结构堆叠分隔。栅极结构位于叉片结构上方，并且栅极结构沿着垂直于第一方向的第二方向纵向延伸。栅极结构与n型...

本发明实施例涉及数据保护的装置、计算机可读存储媒体及方法。该方法包含：将用户装置通电，在用户装置通电后，用户装置的操作系统未启动；在启动操作系统之前，以用户装置是否成功访问服务器来判断用户装置是否位于受限区内，在操作系统启动前，用户装置...

本新型涉及一种半导体制程系统，用以调节以及控制工件处理模块环境内的条件，包括感测器，感测器用以侦测有害气体的湿度以及浓度。利用由这些感测器产生的信号来产生控制空气流入环境以及/或空气以及气体流出环境的信号。通过控制湿度，可避免对环境中进...

一种半导体封装体，包括一第一重布结构、一第一封装部件、一底胶以及一封胶层。第一封装部件接合至第一重布结构，且包括：一第一裸片耦接至一第二重布结构以及位于第二重布结构上的一模塑材料。半导体封装体还包括：一第二裸片，与第一封装部件接合至第一...

一种半导体装置结构，包括的基板含有邻接的n型金属氧化物半导体区与p型金属氧化物半导体区、浅沟槽隔离越过p型金属氧化物半导体区与n型金属氧化物半导体区，第一浅沟槽隔离的第一底部自n型金属氧化物半导体区朝p型金属氧化物半导体区倾斜。半导体装...

本公开提供一种半导体装置。上述半导体装置包括位于基板上方的波导管；以及位于波导管上方的光子装置，其中光子装置包括至少一个低维度材料层，至少一个低维度材料层电性耦接至导电接点，并且光学地耦接至波导管。

本技术提供一种半导体装置包括衬底、第一装置、第二装置、环结构、盖结构以及第一黏着层。第一装置设置于衬底上。第二装置相邻于第一装置且设置于衬底上。环结构设置于衬底以及第二装置上。环结构包括盖体以及自所述盖体延伸出的腿部。盖体具有贯穿开口。...

本技术的实施例提供一种具有接头结构的封装结构。封装结构包括：第一凸块下金属(under bump metallurgy，UBM)结构，配置在第一介电层上，其中第一UBM结构至少包括：阻障层，内埋在第一介电层中；以及上金属层，配置在阻障层...

根据本申请的实施例，提供了再分布结构。根据本公开的再分布结构包括：第一介电层；网状金属部件，设置在第一介电层中，并且包括基底部分和围绕基底部分的框架部分；第二介电层，设置在第一介电层和网状金属部件上方；再分布部件，设置在第二介电层上方；...

器件的方法包括形成第一外延区域和第一外延区域之上的第二外延区域。可以形成从第一区域延伸至第二区域的开口。并且在开口的侧壁和底部上沉积衬垫层。对衬垫层实施等离子体处理，这可以形成第一外延区域的可以在第二外延区域上生长额外外延材料期间保持的...

根据本公开的方法包括：接收工件，工件包括嵌入第一介电层中的第一导电部件；在第一导电部件上方选择性地沉积覆盖层；在覆盖层上方沉积第一蚀刻停止层(ESL)；在第一ESL上方沉积粘合层；在粘合层上方沉积第二ESL；在第二ESL上方沉积第二介电...

一种半导体器件包括长方体(RP)单元区域，该长方体单元区域包括：三维的L形区域、伪区域和驻留区域，每个区域均包括晶体管组件，驻留区域的晶体管不包括L形区域的功能。伪区域和驻留区域位于由L形区域的臂和杆形成的第一凹口中；臂的第一类型晶体管...

本技术实施例的各种实施例涉及一种半导体封装，其包括第一晶粒、第二晶粒及重布线层结构。第一晶粒及第二晶粒在侧向上设置。重布线层结构设置于第一晶粒及第二晶粒之上且电性连接至第一晶粒及第二晶粒，其中重布线层结构包括多个通孔及多条线，所述多个通...

本文公开了用于多栅极器件的自对准栅极隔离/切割技术。示例性多栅极器件包括具有围绕半导体层的栅极堆叠件的第一栅极。第一栅极设置在第一栅极隔离壁和第二栅极隔离壁之间。栅极堆叠件具有栅极电介质和栅电极，栅极堆叠件具有第一侧壁和第二侧壁，并且第...

一种半导体装置组合件及积体扇出型封装，半导体装置组合件包括第一管芯，具第一侧、第一侧上的第一及第二区域；第二管芯，具第二侧、第二侧上的第三及第四区域；第一导电通孔，第一区域中电接触第一侧并远离第一侧延伸，具第一大小；第二导电通孔，第二区...

一种集成电路(IC)器件，包括衬底、在衬底上的底部半导体器件以及在衬底的厚度方向上在底部半导体器件上的顶部半导体器件。顶部半导体器件和底部半导体器件具有相同的导电类型。本申请的实施例还提供了存储器器件和制造集成电路器件的方法。

用于形成半导体器件的方法和结构包括在介电层中形成开口以暴露源极/漏极区域。在一些实施例中，该方法还包括在开口中和源极/漏极区域上方沉积第一金属层。此后，在一些示例中，该方法还包括执行退火工艺以调节第一金属层的晶粒尺寸。在各个实施例中，该...

用于数字存储器中计算(DCIM)中的灵活库寻址的方法。该方法包括提供库组，多个库组中的每个包括相应数量的存储器库，每个存储器库被配置为储存输入特征图数据的对应部分。该方法包括在第一时钟周期期间，从多个库组中的第一库组读取输入特征图数据的...

一种存储器单元，包括第一和第二传输通过门、读取字线和写入字线。第一传输通过门包括第一通过门晶体管和第二通过门晶体管。第二传输通过门包括第三通过门晶体管和第四通过门晶体管。读取字线在衬底的前侧上方的第一金属层上。写入字线在与衬底的前侧相对...