一种监控前驱物腔体的系统及方法、监控且控制沉积的系统，用于在沉积工艺期间监控前驱物腔体的系统包括感测器及信号处理器。该感测器包括感测器腔室，该感测器腔室与该前驱物腔体及沉积腔室管线连接；辐射发射器，该辐射发射器用以发射通过该感测器腔室中...

本公开提供一种化学机械研磨工艺方法和其设备。执行化学机械研磨工艺的方法可包括形成球形二氧化钛纳米粒子、以有机涂布层覆盖球形二氧化钛纳米粒子、将球形二氧化钛纳米粒子与氧化剂储存在一起、使用球形二氧化钛纳米粒子形成研磨溶液、将研磨溶液施加在...

半导体芯粒封装包括与逻辑半导体芯粒直接结合的电感器‑电容器(LC)半导体芯粒。LC半导体芯粒包括整合至单个芯粒中的电感器及电容器。LC半导体芯粒的电感器及电容器可与逻辑半导体芯粒上的晶体管及其他逻辑组件电性连接以形成半导体芯粒封装的电压...

一种接合总成包括：中介体；半导体管芯，附接至中介体且包括平坦水平底表面及波状侧壁；高频宽存储器(HBM)管芯，附接至中介体；以及介电材料部分，接触半导体管芯及中介体。波状侧壁包括垂直侧壁区段及非水平非垂直表面区段，非水平非垂直表面区段邻...

本技术实施例的各种实施例涉及一种半导体装置，其包括：晶体管，设置于衬底的第一侧处；第一介电层，设置于所述衬底的所述第一侧处且位于所述晶体管旁边；第一金属通孔，穿透过所述第一介电层且位于所述晶体管旁边；第一内连线结构，设置于所述衬底的所述...

根据本申请的实施例，提供了一种形成封装件的方法，包括在再分布结构上接合复合管芯。复合管芯包括器件管芯，器件管芯包括半导体衬底，和穿过半导体衬底的贯穿半导体通孔，复合管芯还包括位于器件管芯的表面的金属通孔，以及连接至器件管芯的牺牲载体。复...

实施例提供了器件结构和形成器件结构的方法，该器件结构包括填充结构，以在填充结构的开口范围内捕获焊料材料。一个器件的金属柱可以穿透非导电膜并且接触另一器件的焊料区域。不需要单独的底部填充物。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

本公开提供了一种存储器电路，包括被配置为接收内部时钟信号、增强信号以及读取启用信号和响应内部时钟信号、增强信号以及写入启用信号而产生第一跟踪读取信号和第一跟踪写入信号的一跟踪字线电路。电路也包括被配置为接收第一跟踪读取信号和第一跟踪写入...

本技术实施例的一种半导体结构包括第一半导体管芯、第二半导体管芯、顶部金属区域、一个或多个介电层以及一个或多个铜焊垫。所述第二半导体管芯与所述第一半导体管芯接合，使得所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯垂直布置在所述半导体结构中。所述顶...

本公开涉及纳米结构场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括：在第一鳍之上并围绕设置在第一鳍之上的第一沟道区域形成虚设栅极结构；在第一鳍之上围绕虚设栅极结构形成层间电介质(ILD)层；用栅极结构替代虚设栅极结构；在位于第...

本发明的实施例提供了一种磁阻随机存取存储器单元及其写入方法。实例性磁阻随机存取存储器(MRAM)单元被配置为存储多于一位。MRAM单元包括并联连接的第一磁性隧道结(MTJ)和第二MTJ。第一MTJ具有第一直径，第二MTJ具有第二直径，并...

根据本公开实施例的半导体器件包括：第一基底鳍和第二基底鳍，从衬底延伸；隔离部件，设置在第一基底鳍和第二基底鳍之间；第一伪外延层，设置在第一基底鳍上；第二伪外延层，设置在第二基底鳍上；第一绝缘层，位于第一伪外延层上方；第二绝缘层，位于第二...

一种只读存储器(ROM)器件包括互补场效应晶体管(CFET)器件，该CFET器件具有第一类型的第一半导体器件和与第一类型不同的第二类型的第二半导体器件。第二半导体器件在第一半导体器件上方或下方。第一字线电耦合到第一半导体器件的栅极。第二...

射频(RF)开关包括在截面侧视图中每个设置在材料层上方的第一导电组件和第二导电组件。RF开关包括在截面侧视图中设置在材料层上方的加热器组件。加热器组件的段在截面侧视图中设置在第一导电组件和第二导电组件之间。加热器组件的上表面在截面侧视图...

本技术实施例的各种实施例涉及一种集成芯片，其包括半导体衬底以及半导体衬底中包括多个光侦测器的像素阵列。像素阵列进一步包括在半导体衬底的正面上的多个晶体管。背面接地结构延伸至半导体衬底与正面相对的背面中，并进一步沿着像素阵列的周边围绕像素...

本技术的实施例提供一种沉积工具包含磁体组件、单个阴极以及用于使支撑半导体衬底的底座偏压的电源电路。在沉积惰性金属材料的沉积操作期间，沉积工具可调变自包含具有不同磁场强度范围的螺旋形频带的磁体组件发出的电磁场。沉积工具可具有相对于没有磁体...

本技术提供一种薄膜晶体管和集成芯片。所述薄膜晶体管包括在衬底上方的有源层。与有源层堆叠的绝缘件。与绝缘件堆叠的栅极结构，栅极结构包括具有第一功函数的栅极材料层和第一界面层。第一界面层直接介于绝缘件和栅极材料层之间，其中栅极结构具有不同于...

本技术实施例的各种实施例涉及一种集成芯片，其包含一个栅极层。绝缘体层在栅极层上方。沟道结构在绝缘体层上方。一对源极/漏极在沟道结构上方，且横向地被介电层隔开。沟道结构包含绝缘体层和一对源极/漏极之间的第一沟道层、绝缘体层和介电层之间的第...

一种形成半导体器件的方法，包括形成从衬底突出的鳍；形成在鳍上方延伸的栅极结构；在与栅极结构相邻的鳍中形成源极/漏极区域；在源极/漏极区域上方形成第一隔离区域；在栅极结构上方形成第一掩模层；使用第一掩模层作为蚀刻掩模蚀刻第一隔离区域以形成...

一种半导体装置以及其制造方法。方法包括在半导体基板上方形成磊晶堆叠，其中磊晶堆叠包含交替配置于半导体基板上方的多个第一半导体层与多个第二半导体层，其中第一半导体层具有低于第二半导体层的锗浓度的锗浓度；将磊晶堆叠图案化成鳍片；在鳍片的通道...