【技术实现步骤摘要】
本公开是关于化学机械研磨工艺，且特别是关于化学机械研磨工艺的研磨浆料和设备。
技术介绍
1、一般而言，制造下达半导体基板的接触件可以是先形成介电层，以及接着形成介电层中的开口以暴露预期制造接触件下方的基板的位置。一旦形成开口后，阻障层可以形成在开口内，并且可以使用例如电镀工艺以导电材料填充开口的剩余部分。这样的电镀工艺通常填充且过填充开口，造成导电材料层延伸至介电层上方。
2、可以执行化学机械研磨(chemical mechanical polishing，cmp)以从开口外移除多余的导电材料和阻障层，并且将开口内的导电材料和阻障层分离出来。例如，多余的导电材料可以接触研磨衬垫，并且可以旋转两者以将多余的导电材料磨除。可以使用化学机械研磨浆料来辅助这样的抛光工艺，其中化学机械研磨浆料可以含有在抛光工艺中达到辅助效果和帮助移除导电材料的化学剂和研磨物。
技术实现思路
1、根据本公开的一些实施方式，一种执行化学机械研磨工艺的方法包括形成多个球形二氧化钛纳米粒子、以有机涂布层覆盖球形...
【技术保护点】
1.一种执行化学机械研磨工艺的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括将所述多个球形二氧化钛纳米粒子和该氧化剂储存在一起至少10天。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括将该研磨溶液施加在该工件的该表面上时，将该研磨溶液曝光于紫外光。
4.一种执行化学机械研磨工艺的方法，其特征在于，包括：
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，其中该有机材料保护层包括硅。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，进一步包括调整该酸的浓度而调整该化学机械研磨浆料的pH值，以完...
【技术特征摘要】
1.一种执行化学机械研磨工艺的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括将所述多个球形二氧化钛纳米粒子和该氧化剂储存在一起至少10天。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括将该研磨溶液施加在该工件的该表面上时，将该研磨溶液曝光于紫外光。
4.一种执行化学机械研磨工艺的方法，其特征在于，包括：
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，其中该有机材料保护层包括硅。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，进一步包括调整该酸的浓度而调整该化学机械研磨浆料...
【专利技术属性】
技术研发人员：游昇穆，刘啟人，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。