本申请公开了用于调节多VT器件的氮化铝偶极掺杂剂膜。一种方法包括：在半导体区域上形成栅极电介质；在栅极电介质上沉积氮化铝层；在氮化铝层上沉积氧化铝层；执行退火工艺以将氮化铝层中的铝驱入栅极电介质；去除氧化铝层和氮化铝层；以及在栅极电介质...

本技术提供晶片堆叠结构。晶片堆叠结构包括第一晶片，其包含第一基板与第一内连线结构位于第一基板上。晶片堆叠结构包括第二晶片位于第一晶片上并接合至第一晶片。第二晶片具有第二内连线结构与第二基板位于第二内连线结构上。晶片堆叠结构包括绝缘层位于...

本文公开了用于金属光致抗蚀剂的剂量减少底部抗反射涂料。一种形成半导体器件的方法包括，在基板上方沉积涂料层，在所述涂料层上方形成光致抗蚀剂层，将所述光致抗蚀剂层曝光于光化辐射，以及使所述光致抗蚀剂层显影以形成图案化的光致抗蚀剂层。所述涂料...

本发明提供一种反相器电路，包括：第一导电类型半导体层，设置于层间介电层之上；闸极电极，设置于第一导电类型半导体层之上；第二导电类型半导体层，设置于闸极电极之上；第一闸极介电层，设置于第一导电类型半导体层与闸极电极之间；第二闸极介电层，设...

一种半导体结构，包括第一有源区与第二有源区，沿着第一方向纵向延伸；栅极堆叠沿着第二方向纵向延伸，且第二方向垂直于第一方向；介电结构沿着第一方向纵向延伸，并位于第一有源区与第二有源区之间，其中介电结构将栅极堆叠分成第一有源区上的第一部分以...

半导体装置包括底部半导体晶粒，含有底部半导体晶粒侧壁；顶部半导体晶粒，接合至底部半导体晶粒，并含有顶部半导体晶粒侧壁；以及成型材料层，形成于底部半导体晶粒的上表面之上、顶部半导体晶粒侧壁之上、与底部半导体晶粒侧壁之上。

本公开提供一种半导体结构。半导体结构包括一基板、形成于基板上的一第一导电层、设置于基板上的一芯片、围绕芯片的一第一介电层、设置于第一介电层上且与第一导电层电性绝缘的一第二导电层，形成于第一介电层中且电性连接至第一导电层的多个第一通孔、以...

提供了一种半导体器件。半导体器件包括衬底、衬底上的第一外延层、第一外延层上的第二外延层以及位于第一外延层或第二外延层中的至少一个中的光电二极管。光电二极管包括第一掺杂区和在第一掺杂区上方的第二掺杂区。本申请的实施例还提供了一种形成半导体...

一种集成电路，包括被配置为产生第一电压的第一温度敏感器件、被配置为生成第二电压的第二温度敏感器件以及被配置为形成参考电压的输出端子，该参考电压是第一电压和第二电压之和。第一电压随着绝对温度单调地增加。第二电压随着绝对温度单调地减小。在集...

本申请公开了互连结构及其形成方法。互连结构包括电介质层、设置在电介质层之上的电介质材料、以及设置在电介质材料中的第一导电特征和第二导电特征。第一导电特征和第二导电特征各自具有圆化顶角，第一导电特征具有第一宽度和第一高度，并且第二导电特征...

本技术提供一种半导体晶粒封装体,半导体晶粒封装体中的半导体晶粒可通过介电波导通信。介电波导可包含夹在低介电常数包覆层之间的高介电常数核心层。高介电常数核心层与低介电常数包覆层的介电常数的差异使介电质波导中的电磁信号模式松散耦合，同时提供...

本公开提供一种半导体结构。所述半导体结构包括半导体层堆叠物、栅极结构、内间隔物及第一介电层。半导体层堆叠物设置在基板上方。栅极结构包绕半导体层堆叠物中的每一层。内间隔物插入于栅极结构与源极/漏极部件之间，并在半导体层堆叠物的两相邻半导体...

本技术提供一种包括重布线结构的半导体封装，所述重布线结构包括交替地堆栈的介电层及导电层，其中重布线结构的介电层之中的一个介电层包括第一表面，重布线结构的导电层之中的一个导电层包括第二表面，并且所述导电层包括布线层及晶种层；所述结构还包括...

一种包含半导体通道的半导体装置。半导体装置包含介电间隔物、源极/漏极区、以及金属硅化物层。介电间隔物设置于半导体通道上方。源极/漏极区设置相邻于介电间隔物且耦合至半导体通道，其中源极/漏极区包含一或多个半导体层。金属硅化物层设置于源极/...

本技术提供一种半导体封装固定装置。半导体晶粒封装安装到中介层。除了半导体晶粒封装之外，固定装置更包括具有顶部结构的盖部件和将盖部件连接到中介层的基脚结构。该固定装置包括在半导体晶粒封装的顶表面和盖部件的顶部结构之间的热界面材料。使用环氧...

本技术的各种实施例是关于一种装置，所述装置包括在反馈回路中串联连接的延迟胞元以提供环形振荡器。环形振荡器中的延迟胞元中的至少一者为堆叠栅延迟胞元，堆叠栅延迟胞元包括两个或更多个PMOS晶体管以及两个或更多个NMOS晶体管，PMOS晶体管...

本技术提供一种半导体装置。半导体装置中的高压晶体管可以包括在衬底中的场板结构和高压晶体管的通道区之间的阶梯状介电层。阶梯状介电层可以通过降低高压晶体管的漏极区附近的电场强度来增加高压晶体管的击穿电压。特别是，漏极区附近的阶梯状介电层的部...

本技术涉及一种具有热电冷却器的封装结构，一种封装结构包括：第一重分布层(RDL)结构、管芯、线路衬底以及第一热电冷却器。第一RDL结构具有彼此相对的第一侧与第二侧。管芯设置在第一RDL结构的第一侧上。线路衬底通过多个第一导电连接件接合至...

本技术提供一种集成电路装置包括第一集成电路装置上的第一接合垫和第二集成电路装置上的第二接合垫。第一接合垫在第一集成电路装置和第二集成电路装置之间的介面处与第二接合垫接合。在垂直于介面的第一剖面中，第一接合垫比第二接合垫宽。在垂直于介面和...

一种微影的方法及用于电子束微影或极紫外线微影的光阻剂，方法包括以下步骤。在一基板上形成一目标层。在该目标层上形成一光阻层。使该光阻层曝光，使得在该光阻层中产生二次电子。使用一添加剂使该些二次电子停止。使该光阻层显影。使用该显影的光阻层作...