半导体结构制造技术

一种半导体结构，包括第一有源区与第二有源区，沿着第一方向纵向延伸；栅极堆叠沿着第二方向纵向延伸，且第二方向垂直于第一方向；介电结构沿着第一方向纵向延伸，并位于第一有源区与第二有源区之间，其中介电结构将栅极堆叠分成第一有源区上的第一部分以及第二有源区上的第二部分；第一外延结构位于第一有源区上；第二外延结构位于第二有源区上，第一外延结构与第二外延结构位于介电结构的两侧上；背侧导电结构电性耦接至第一外延结构与第二外延结构，背侧导电结构包括第一脚部着陆于第一外延结构的下表面上、第二脚部着陆于第二外延结构的下表面上，以及中间部分物理连接第一脚部与第二脚部，中间部分直接位于介电结构之下。

【技术实现步骤摘要】

本技术实施例涉及半导体结构，尤其涉及背侧导电结构与切割金属栅极结构的配置。

技术介绍

1、半导体集成电路产业已经历指数成长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进中，功能密度(如单位芯片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(如采用的制作工艺所能产生的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小的工艺通常有利于增加产能与降低相关成本。尺寸缩小亦增加处理与制造集成电路的复杂度。

2、举例来说，集成电路包括具有个别功能的多种电路，比如具有多个存储器位元单元以储存信息的存储器电路。存储器电路包括非易失性装置或挥发性装置。挥发性装置可包括静态随机存取存储器装置。具有鳍状有源区的三维晶体管通常用于增进装置效能。鳍状有源区可为自基板凸起的连续鳍状物或悬空于基板上的通道层的堆叠。形成于鳍状有源区上的这些三维场效晶体管，亦可分别视作鳍状场效晶体管或全绕式栅极场效晶体管。缩小装置尺寸通常使这些场效晶体管具有短通道控制所用的狭窄鳍状物宽度，造成源极/漏极区小于平面场效晶体管的源极/漏极区。这会减少对准的容许范围，并造本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该中间部分物理接触该介电结构。

3.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

4.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，该背侧导电结构电性耦接该第一外延结构与该第二外延结构至一地线。

5.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，该第一有源区与该第二有源区各自包括自一基板凸起的一鳍状物。

6.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，该第一有源区与该第二有源区各自包括多个通道区垂直堆叠于一基板上，且该栅极堆叠包覆多...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该中间部分物理接触该介电结构。

3.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

4.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，该背侧导电结构电性耦接该第一外延结构与该第二外延结构至一地线。

5.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，该第一有源区与该第二有源区各自包括自一基板凸起的一鳍状物。

6.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，该第一有源区与该第二有源区各自包括多个通道区垂直堆叠于一基板上，且该栅极堆叠包覆多个所述通道区的每一者。

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【专利技术属性】
技术研发人员：陈瑞麟，苏信文，王志庆，李振铭，杨崇巽，丁一峰，何炯煦，洪连嵘，王屏薇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：