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一种半导体结构，包括第一有源区与第二有源区，沿着第一方向纵向延伸；栅极堆叠沿着第二方向纵向延伸，且第二方向垂直于第一方向；介电结构沿着第一方向纵向延伸，并位于第一有源区与第二有源区之间，其中介电结构将栅极堆叠分成第一有源区上的第一部分以及第...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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