互连结构及其形成方法技术

本申请公开了互连结构及其形成方法。互连结构包括电介质层、设置在电介质层之上的电介质材料、以及设置在电介质材料中的第一导电特征和第二导电特征。第一导电特征和第二导电特征各自具有圆化顶角，第一导电特征具有第一宽度和第一高度，并且第二导电特征具有显著小于第一宽度的第二宽度和基本上与第一高度相同的第二高度。该结构还包括设置在第一导电特征和第二导电特征上的蚀刻停止层以及设置在电介质材料和蚀刻停止层中的第三导电特征和第四导电特征。第三导电特征与第一导电特征接触，并且第四导电特征与第二导电特征接触。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体制造领域，并且更具体地涉及互连结构及其形成方法。

技术介绍

1、半导体集成电路(ic)行业经历了指数级增长。ic材料和设计的技术进步已经产生了几代ic，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在ic演变过程中，功能密度+(即，单位芯片面积的互连器件的数量)通常增大，而几何尺寸(即，使用制造工艺能够产生的最小组件(或线))减小。这种按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。然而，按比例缩小也导致了较大几何形状的前几代可能没有呈现的挑战。

技术实现思路

1、根据本公开的第一方面，提供了一种互连结构，包括：电介质层；电介质材料，设置在所述电介质层之上；第一导电特征和第二导电特征，设置在所述电介质材料中，其中，所述第一导电特征和第二导电特征各自具有圆化顶角，所述第一导电特征具有第一宽度和第一高度，并且所述第二导电特征具有显著小于所述第一宽度的第二宽度和基本上与所述第一高度相同的第二高度；蚀刻停止层，设置在所述第一导电特征和第二导电特征上并且在所述电介质层和所述电介质材料之间；以本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种互连结构，包括：

2.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述第一导电特征的一部分延伸穿过所述电介质层。

3.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述第一导电特征和第二导电特征各自具有梯形形状。

4.根据权利要求3所述的互连结构，其中，所述第一导电特征包括底脚部分。

5.根据权利要求4所述的互连结构，其中，所述第一宽度在约15微米到约50微米的范围内，并且所述第二宽度在约1微米到约5微米的范围内。

6.根据权利要求1所述的互连结构，还包括：设置在所述第一导电特征和第二导电特征与所述电介质层之间的阻挡层。

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【技术特征摘要】

1.一种互连结构，包括：

2.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述第一导电特征的一部分延伸穿过所述电介质层。

3.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述第一导电特征和第二导电特征各自具有梯形形状。

4.根据权利要求3所述的互连结构，其中，所述第一导电特征包括底脚部分。

5.根据权利要求4所述的互连结构，其中，所述第一宽度在约15微米到约50微米的范围内，并且所述第二宽度在约1微米到约5微米的范围内。

6.根据权利要求1所述的互连结构，还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭家邦，蓝若琳，杨竣翔，高铭远，林其锋，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：