半导体器件及其形成方法技术

技术编号:42385808 阅读:14 留言:0更新日期:2024-08-16 16:13
提供了一种半导体器件。半导体器件包括衬底、衬底上的第一外延层、第一外延层上的第二外延层以及位于第一外延层或第二外延层中的至少一个中的光电二极管。光电二极管包括第一掺杂区和在第一掺杂区上方的第二掺杂区。本申请的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法


技术介绍

1、半导体器件用于多种电子设备,诸如手机、笔记本电脑、台式机、平板电脑、手表、游戏系统以及各种其他工业、商业和消费电子产品。半导体器件通常包括半导体部分和形成在半导体部分内部的布线部分。


技术实现思路

1、根据本申请的实施例的一个方面,提供了一种半导体器件,包括:衬底,包括具有第一导电类型的第一掺杂剂;第一外延层,位于衬底上方并且包括具有第一导电类型的第二掺杂剂;第二外延层,位于第一外延层上方并且包括具有第一导电类型的第三掺杂剂;以及光电二极管,位于第一外延层或第二外延层中的至少一个中,其中,光电二极管包括:第一掺杂区,具有不同于第一导电类型的第二导电类型;和第二掺杂区,位于第一掺杂区上方,具有第一导电类型。

2、根据本申请的实施例的另一个方面,提供了一种形成半导体器件的方法,包括:在衬底上方形成第一外延层;在第一外延层上方形成第二外延层;以及在第一外延层或第二外延层中的至少一个中形成光电二极管。

3、根据本申请的实施例的又一个方面本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中:

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中:

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述光电二极管包括:

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述光电二极管包括:

6.一种形成半导体器件的方法,包括:

7.根据权利要求6所述的方法,其中:

8.根据权利要求6所述的方法,其中:

9.一种半导体器件,包括:

10.根据权利要求9所述的半导体器件,其中:

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中:

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中:

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述光电二极管包括:

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,...

【专利技术属性】
技术研发人员:王文生范翌轩
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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