半导体晶粒封装体制造技术

本技术提供一种半导体晶粒封装体,半导体晶粒封装体中的半导体晶粒可通过介电波导通信。介电波导可包含夹在低介电常数包覆层之间的高介电常数核心层。高介电常数核心层与低介电常数包覆层的介电常数的差异使介电质波导中的电磁信号模式松散耦合，同时提供相对小的临界角，以在高介电常数核心层中实现全内部反射。因此，本文描述的半导体晶粒封装技术及介电波导的结合可以增加晶粒间通信频宽，同时实现半导体晶粒封装体的覆盖区缩小及密度增加。

【技术实现步骤摘要】

本技术实施例涉及半导体技术，且特别涉及半导体晶粒封装体。

技术介绍

1、各种半导体装置封装技术可用于将一个或多个半导体晶粒加入至半导体装置封装体中。在一些情况中，可在半导体装置封装体中堆叠半导体晶粒，以实现半导体装置封装体的较小水平或横向覆盖区(footprint)及/或增加半导体装置封装体的密度。可进行半导体装置封装技术，以将多个半导体晶粒整合至半导体装置封装体中，半导体装置封装技术可包含集成扇出(integrated fanout，info)、叠层封装(package on package，pop)、晶圆上晶片(chip on wafer，cow)、集成晶片上系统(system on integrated chips，soic)、晶圆上晶圆(wafer on wafer，wow)及/或基底上晶圆上晶片(chip on wafer on substrate，cowos)或其他范例。

技术实现思路

1、在一些实施例中，提供半导体晶粒封装体，半导体晶粒封装体包含第一半导体晶粒；第二半导体晶粒，在第一半导体晶粒之本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体晶粒封装体，其特征在于，包括:

2.如权利要求1所述的半导体晶粒封装体，其特征在于，还包括:

3.如权利要求2所述的半导体晶粒封装体，其特征在于，其中该第一收发导电结构通过一第一介电通孔结构电性连接至该第二半导体晶粒，该第一介电通孔结构沿该第二半导体晶粒的侧面延伸于该第一收发导电结构与该第一半导体晶粒之间，且其中该第三收发导电结构通过一第二介电通孔结构电性连接至该第三半导体晶粒，该第二介电通孔结构沿该第三半导体晶粒的侧面延伸于该第三收发导电结构与该第一半导体晶粒之间。

4.如权利要求2所述的半导体晶粒封装体，其特征在于，其中该第一收发导电...

【技术特征摘要】

1.一种半导体晶粒封装体，其特征在于，包括:

2.如权利要求1所述的半导体晶粒封装体，其特征在于，还包括:

3.如权利要求2所述的半导体晶粒封装体，其特征在于，其中该第一收发导电结构通过一第一介电通孔结构电性连接至该第二半导体晶粒，该第一介电通孔结构沿该第二半导体晶粒的侧面延伸于该第一收发导电结构与该第一半导体晶粒之间，且其中该第三收发导电结构通过一第二介电通孔结构电性连接至该第三半导体晶粒，该第二介电通孔结构沿该第三半导体晶粒的侧面延伸于该第三收发导电结构与该第一半导体晶粒之间。

4.如权利要求2所述的半导体晶粒封装体，其特征在于，其中该第一收发导电结构通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖文翔，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：