半导体芯粒封装制造技术

技术编号:42246656 阅读:26 留言:0更新日期:2024-08-02 13:56
半导体芯粒封装包括与逻辑半导体芯粒直接结合的电感器‑电容器(LC)半导体芯粒。LC半导体芯粒包括整合至单个芯粒中的电感器及电容器。LC半导体芯粒的电感器及电容器可与逻辑半导体芯粒上的晶体管及其他逻辑组件电性连接以形成半导体芯粒封装的电压调节器电路。将电压调节器电路的被动组件(例如电感器及电容器)整合至单个半导体芯粒中会减小电压调节器电路中的讯号传播距离,此可提高电压调节器电路的操作效率、减小半导体芯粒封装的形状因数、减小电压调节器电路中的寄生电容及/或减小寄生电感(藉此改善电压调节器电路的效能)等等。

【技术实现步骤摘要】

本技术实施例涉及一种半导体芯粒封装


技术介绍

1、可使用各种半导体装置封装技术来将一或多个半导体芯粒并入至半导体装置封装中。在一些情形中,可在半导体装置封装中堆叠半导体芯粒,以达成半导体装置封装的较小水平占用面积或侧向占用面积及/或提高半导体装置封装的密度。可实行的用于将多个半导体芯粒整合于半导体装置封装中的半导体装置封装技术可包括集成扇出(integratedfanout,info)、叠层封装(package on package,pop)、晶片上芯片(chip on wafer,cow)、晶片上晶片(wafer on wafer,wow)及/或衬底上晶片上芯片(chip on wafer onsubstrate,cowos)等等。


技术实现思路

1、本文中所阐述的一些实施方案提供一种半导体芯粒封装。所述半导体芯粒封装包括第一半导体芯粒。所述第一半导体芯粒包括:第一装置区;一或多个沟渠电容器结构,位于所述第一装置区中;第一内连线区,在垂直方向上与所述第一装置区相邻;以及电感器区,包括于所述第一内连线区中,本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体芯粒封装,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体芯粒封装,更包括:

3.根据权利要求1所述的半导体芯粒封装,更包括:

4.根据权利要求1所述的半导体芯粒封装,其中所述一或多个沟渠电容器结构与所述一或多个电感器结构在所述第一半导体芯粒的所述第一内连线区中电性连接。

5.一种半导体芯粒封装,其特征在于,包括:

6.根据权利要求5所述的半导体芯粒封装,其中所述电感器区包括于所述电感器-电容器半导体芯粒的后侧上;且

7.根据权利要求5所述的半导体芯粒封装,其中所述电感器区包括:</p>

8.一种...

【技术特征摘要】

1.一种半导体芯粒封装,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体芯粒封装,更包括:

3.根据权利要求1所述的半导体芯粒封装,更包括:

4.根据权利要求1所述的半导体芯粒封装,其中所述一或多个沟渠电容器结构与所述一或多个电感器结构在所述第一半导体芯粒的所述第一内连线区中电性连接。

5.一种半导体芯粒封装,其特征在于,包括:

6.根据权利要求5所述的半导体芯粒封装,...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘建宏吴伟成陈宪融庄学理陈佑昇王怡情陈坤意王郁仁黄国钦
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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