【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例提供了半导体器件结构及其形成方法。
技术介绍
1、半导体集成电路(ic)工业已经经历了指数级增长。ic材料和设计中的技术进步已经产生了多代ic，其中每一代都具有比上一代更小和更复杂的电路。在ic演变过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)通常增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺产生的最小组件(或线))减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小也增加了处理和制造ic的复杂性。
2、因此，需要改进处理和制造ic。
技术实现思路
1、根据本申请的一个实施例，提供了一种形成半导体器件结构的方法，包括：在相邻的鳍结构之间的隔离区域上方沉积间隔件层，其中，间隔件层形成在鳍结构的侧壁和顶部上；在鳍结构之间的间隔件层上形成掩模，其中，掩模的高度基本上小于鳍结构的高度；去除间隔件层的部分并且使鳍结构凹进以形成间隔件并且暴露每个鳍结构的部分，其中，间隔件包括设置在隔离区域上的具有“u”形的第一部分，并且每个鳍结构的部分具有位于基本...
【技术保护点】
1.一种形成半导体器件结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，每个所述鳍结构包括交替的第一半导体层和第二半导体层的堆叠件。
3.根据权利要求2所述的方法，还包括在每个所述鳍结构的第一部分上形成牺牲栅极堆叠件，其中，所述间隔件还包括设置在所述牺牲栅极堆叠件的侧表面上的第二部分。
4.根据权利要求3所述的方法，还包括去除位于所述牺牲栅极堆叠件下面的所述第二半导体层的部分以在垂直相邻的所述第一半导体层之间形成开口。
5.根据权利要求4所述的方法，还包括在所述开口中、所述间隔件的所述第一部分和所述第二部分上、所述...
【技术特征摘要】
1.一种形成半导体器件结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，每个所述鳍结构包括交替的第一半导体层和第二半导体层的堆叠件。
3.根据权利要求2所述的方法，还包括在每个所述鳍结构的第一部分上形成牺牲栅极堆叠件，其中，所述间隔件还包括设置在所述牺牲栅极堆叠件的侧表面上的第二部分。
4.根据权利要求3所述的方法，还包括去除位于所述牺牲栅极堆叠件下面的所述第二半导体层的部分以在垂直相邻的所述第一半导体层之间形成开口。
5.根据权利要求4所述的方法，还包括在所述开口中、所述间隔件的所述第一部分和所述第二部分上、所述牺牲栅极堆叠件上方与所述鳍结构的所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑嵘健，陈冠霖，朱熙甯，江国诚，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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