半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包含介电层以及包含于介电层中的电容器结构，其中电容器结构包含第一导电层、在第一导电层上的绝缘层、在绝缘层上的第二导电层，以及在绝缘层与第一导电层及第二导电层的至少一者之间的缓冲层。缓冲层可包含在电容器结构的第一导电电极层与绝缘层之间，及/或在第二导电电极层与绝缘层之间，以减少电容器结构的晶格不匹配。缓冲层包含可增进绝缘层与一或多个导电电极层之间的晶格匹配的材料的组合。相较于不包含缓冲层的其他电容器结构，前述减少电容器结构中的结构缺陷形成的可能性。

【技术实现步骤摘要】

本揭露是关于一种半导体装置及其制造方法，特别是关于一种包含电容器结构的半导体装置及其制造方法。

技术介绍

1、一种半导体装置可包含一或多个电容器结构在影像感测器装置的后端工艺(back-end-of-line，beol)区域中。电容器结构可进行及/或支持半导体中的一或多个功能，例如电荷储存、模拟数字(analog to digital，a/d)转换、电路去耦及/或其他功能。

技术实现思路

1、本揭露的一态样是提供一种半导体装置。半导体装置包含介电层以及包含于介电层中的电容器结构，其中电容器结构包含第一导电层、在第一导电层上的绝缘层、在绝缘层上的第二导电层，以及在绝缘层与第一导电层及第二导电层的至少一者之间的缓冲层。

2、本揭露的另一态样是提供一种半导体装置的制造方法。方法包含形成电容器结构的第一导电层在半导体装置中。方法包含形成电容器结构的绝缘层在第一导电层上。方法包含形成基底层在绝缘层上。方法包含利用一氧化二氮(n2o)在基底层上进行表面处理操作，以将基底层转化成在绝缘层上的缓冲层。方法包含形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该缓冲层中的氮的原子百分比大于该第一导电层或该第二导电层的至少一者中的氮的原子百分比。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该绝缘层包含一含氧化铪(HfOx)的材料，且该缓冲层包含一含氧化钛(TiOx)的材料。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一导电层或该第二导电层的至少一者包含一含氮化钛(TixN)的材料，且该缓冲层包含一含氮化钛(TixN)的材料。

5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：

6...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该缓冲层中的氮的原子百分比大于该第一导电层或该第二导电层的至少一者中的氮的原子百分比。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该绝缘层包含一含氧化铪(hfox)的材料，且该缓冲层包含一含氧化钛(tiox)的材料。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一导电层或该第二导电层的至少一者包含一含氮化钛(tixn)的材料，且该缓冲层包含一含氮化钛(tixn)的材料。

5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：

6.如权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：粘耀仁，蔡建欣，梁耀祥，鍾明锦，陈盈铨，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：