存储器电路及其操作方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种存储器电路，包括阵列，所述阵列包括多个存储器单元；驱动器，其可操作地连接到所述阵列并且被配置为提供控制对所述多个存储器单元中的一个或多个的存取的存取信号；以及可操作地连接到驱动器的时序控制器。时序控制器被配置为：接收控制信号；以及响应于所述控制信号从第一逻辑状态转换到第二逻辑状态，在包含第一阶段和第二阶段的单个时钟周期内调整所述存取信号的脉冲宽度，其中所述第一阶段包括读取存储在所述一个或多个存储器单元中的第一存储器单元中的第一数据位，并且所述第二阶段包括将第二数据位写入所述第一存储器单元中。本发明专利技术的实施例还提供了一种操作存储器电路的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例总体涉及电子电路领域，更具体地，涉及存储器电路及其操作方法。

技术介绍

1、诸如高性能计算设备、便携式设备、智能手机、物联网(iot)设备等电子设备的发展，促使对存储设备的需求增加。通常，存储器设备可以是易失性存储器设备和非易失性存储设备。易失性存储设备可以在提供电源时存储数据，但一旦电源关闭，可能会丢失存储的数据。与易失性存储器设备不同，非易失性内存设备即使在电源关闭后也可以保留数据，但可能比易失性存储设备慢。

技术实现思路

1、本专利技术的一个实施例提供了一种存储器电路，包括：阵列，包括多个存储器单元；驱动器，可操作地连接到所述阵列并且被配置为提供控制对所述多个存储器单元中的一个或多个存储器单元的存取的存取信号；以及时序控制器，可操作地连接到所述驱动器并且被配置为：接收控制信号；和响应于所述控制信号从第一逻辑状态转换到第二逻辑状态，在包含第一阶段和第二阶段的单个时钟周期内调整所述存取信号的脉冲宽度，其中，所述第一阶段包括读取存储在所述一个或多个存储器单元中的第一存储器单元中的第一数据位，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器电路，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器电路，还包括：输入/输出引脚，被配置为接收所述控制信号。

3.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，当所述控制信号处于所述第一逻辑状态时，所述多个存储器单元被配置为在第一模式下操作，并且当所述控制信号处于所所述第二逻辑状态时，所述多个存储器单元被配置成在第二模式下操作。

4.根据权利要求3所述的存储器电路，其中，在所述第一模式中，所述多个存储器单元接收处于第一电平的电源电压，并且在所述第二模式中，所述多个存储器单元接收处于第二电平的所述电源电压，并且所述第二电平大大高于所述第一电平。

...

【技术特征摘要】

1.一种存储器电路，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器电路，还包括：输入/输出引脚，被配置为接收所述控制信号。

3.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，当所述控制信号处于所述第一逻辑状态时，所述多个存储器单元被配置为在第一模式下操作，并且当所述控制信号处于所所述第二逻辑状态时，所述多个存储器单元被配置成在第二模式下操作。

4.根据权利要求3所述的存储器电路，其中，在所述第一模式中，所述多个存储器单元接收处于第一电平的电源电压，并且在所述第二模式中，所述多个存储器单元接收处于第二电平的所述电源电压，并且所述第二电平大大高于所述第一电平。

5.一种存储器电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：张铭宏，陈家政，吴经纬，李政宏，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载 我是这个专利的主人