半导体器件及其制造方法技术

本公开的实施例提供了形成具有平坦钝化表面的RDL结构的方法。一些实施例提供了用于化学机械抛光的停止层，该停止层设置在钝化层下面。一些实施例提供了钝化沉积的额外厚度和用于钝化抛光的牺牲钝化层。一些实施例通过插入伪图案对象来提供修改的RDL图案以调整图案密度。本申请的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及半导体器件及其制造方法。

技术介绍

1、半导体器件用于各种电子应用，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方顺序形成绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，以在半导体衬底上形成电路组件和元件来制造半导体器件。

2、半导体集成电路(ic)工业已经经历了快速增长。ic材料和设计中的技术进步已经产生了多代ic，其中每一代都具有比上一代更小和更复杂的电路。然而，这些进步增加了处理和制造ic的复杂性，并且为了实现这些进步，需要ic处理和制造中的类似发展。在ic演变过程中，功能密度(即每芯片面积的互连器件的数量)通常增大，而几何尺寸(即可以使用制造工艺创建的最小组件)减小。

3、例如，ic形成在半导体衬底上，半导体衬底可以切割成单独的器件管芯或ic芯片。每个ic芯片可以进一步附接(诸如通过接合)至中介层、重建晶圆或另一管芯，以形成封装件或器件。为了满足各种路由需求，可以在ic芯片上形成导电金属线的再分布层(rdl)，以将接合连接从芯片的边缘重新路由到中心，或者通常将接合连接分散到比ic芯片的区域更大的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其中，沉积所述蚀刻停止层包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其中，沉积所述化学机械抛光停止层包括连续地沉积所述第二子层的材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一子层具有第一厚度，所述化学机械抛光停止层和所述第二子层一起具有第二厚度，并且所述第二厚度在所述第一厚度的5倍至10倍之间的范围内。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括与所述再分布层部件同时形成伪部件。

7.根据权利要求1所述的方法，其...

【技术特征摘要】

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其中，沉积所述蚀刻停止层包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其中，沉积所述化学机械抛光停止层包括连续地沉积所述第二子层的材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一子层具有第一厚度，所述化学机械抛光停止层和所述第二子层一起具有第...

【专利技术属性】
技术研发人员：马振德，邱志斌，许琍雯，王良玮，陈殿豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：