集成电路封装结构及其形成方法技术

本公开的一个方面涉及一种集成电路(IC)封装结构，包括：底部电路结构，具有位于第一衬底上的第一半导体器件、位于第一半导体器件上方的第一互连结构和位于第一互连结构上方的第一接合结构；以及顶部电路结构，具有位于第二衬底上的第二半导体器件、位于第二半导体器件下面的第二互连结构和位于第二互连结构下面的第二接合结构。第一接合结构包括第一金属部件，第一金属部件具有金属的第一晶体体层和金属的第一非晶表面层。第二接合结构包括第二金属部件，第二金属部件具有金属的第二晶体体层和金属的第二非晶表面层。顶部电路结构通过第一非晶表面层和第二非晶表面层接合至底部电路结构。根据本申请的其他实施例，还提供了集成电路封装结构以及形成集成电路封装结构的方法。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及集成电路封装结构及其形成方法。

技术介绍

1、电子工业对更小和更快的电子器件的需求不断增长，这些电子器件能够同时支持更多越来越复杂和精密的功能。为了满足这些需求，集成电路(ic)工业中存在制造低成本、高性能和低功耗ic的持续趋势。到目前为止，这些目标在很大程度上是通过减小ic尺寸(例如，最小ic部件尺寸)，从而提高生产效率并且降低相关成本来实现的。然而，这种缩放也增加了ic制造工艺的复杂性。因此，实现ic器件及其性能的持续进步需要ic制造工艺和技术的类似进步。

2、许多技术进步都发生在3d ic封装领域，这涉及将多个芯片堆叠和接合在一起。每个芯片包括至少一个功能ic，诸如配置为执行逻辑功能、存储器功能、数字功能、模拟功能、混合信号功能、射频(rf)功能、i/o功能、通信功能(例如，通过实现期望的通信协议(诸如5g(即，第五代)无线通信协议、以太网通信协议、ib通信协议等)为有线通信和/或无线通信提供支持)、电源管理功能、其他功能或它们的组合的ic；存储器器件，并且这些中的一些涉及电容器。

3、随着3d ic堆叠技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成电路封装结构，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路封装结构，其中，所述第一晶体体层和所述第二晶体体层的每个包括与所述第一非晶表面层和所述第二非晶表面层之间的接合界面平行的(111)平面。

3.根据权利要求2所述的集成电路封装结构，其中，所述金属是铜。

4.根据权利要求1所述的集成电路封装结构，其中，所述第一接合结构的所述第一金属部件还包括所述金属的第三非晶表面层，所述第三非晶表面层配置为使得所述第一晶体体层夹在所述第一非晶表面层和所述第三非晶表面层之间。

5.根据权利要求4所述的集成电路封装结构，其中，所述第二接合结构的所述...

【技术特征摘要】

1.一种集成电路封装结构，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路封装结构，其中，所述第一晶体体层和所述第二晶体体层的每个包括与所述第一非晶表面层和所述第二非晶表面层之间的接合界面平行的(111)平面。

3.根据权利要求2所述的集成电路封装结构，其中，所述金属是铜。

4.根据权利要求1所述的集成电路封装结构，其中，所述第一接合结构的所述第一金属部件还包括所述金属的第三非晶表面层，所述第三非晶表面层配置为使得所述第一晶体体层夹在所述第一非晶表面层和所述第三非晶表面层之间。

5.根据权利要求4所述的集成电路封装结构，其中，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：张睿绅，赖钰璋，邱政男，庄曜群，何军，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：