半导体结构及其形成方法技术

本公开的实施例提供了半导体结构。半导体结构包括：金属线，位于第一衬底上方；第二衬底，位于金属线上方；以及贯通孔，穿过第二衬底并且落在金属线上。贯通孔包括具有至少85％的(111)晶体取向的铜填充物。贯通孔包括位于底部部分上方的具有第一顶部宽度的顶部部分，底部部分具有第二顶部宽度，第二顶部宽度小于第一顶部宽度，并且顶部部分包括位于第一基脚部件上方的第一主体部分。第一主体部分具有第一侧壁，第一基脚部件具有第二侧壁，并且第二侧壁从第一侧壁向内倾斜，以使贯通孔从顶部部分的第一顶部宽度变窄到底部部分的第二顶部宽度。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体结构的方法。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

技术介绍

1、电子工业对更小和更快的电子器件的需求不断增长，这些电子器件能够同时支持更多越来越复杂和精密的功能。为了满足这些需求，集成电路(ic)工业中存在制造低成本、高性能和低功率ic的持续趋势。到目前为止，这些目标在很大程度上是通过减小ic尺寸(例如，最小ic部件尺寸)，从而提高生产效率并且降低相关成本来实现的。然而，这种缩放也增加了ic制造工艺的复杂性。因此，实现ic器件及其性能的持续进步需要ic制造工艺和技术的类似进步。

2、一个进步是使用硅通孔(tsv)，它也可以称为晶圆通孔、衬底通孔、馈通通孔或贯通孔。tsv技术克服了引线接合的限制，并且允许直接金属互连，以创建具有堆叠晶圆、堆叠管芯和/或它们的组合的堆叠3d ic。通过在z轴上形成互连件，tsv允许更短的互连。通过形成从衬底的前表面延伸至后表面的通孔，穿过衬底(例如，晶圆)创建互连件。这允许在半导体结构的前侧和后侧上形成半导体部件的灵活性。在一个示例中，tsv可以将前侧源极/漏极部件电连接至后侧电源轨。

3、然而，虽然现有的形本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述贯通孔中的所有晶粒基本上在水平方向上对准。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述贯通孔的第一部分具有第一纹理方向，所述贯通孔的第二部分具有第二纹理方向，并且所述第一纹理方向不同于所述第二纹理方向。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述顶部部分的所述第一顶部宽度在1.4μm至10μm之间的范围内，并且所述底部部分的所述第二顶部宽度在0.6μm至8μm之间的范围内。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述顶部部分具有在0.5μm至2.5μm之间...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述贯通孔中的所有晶粒基本上在水平方向上对准。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述贯通孔的第一部分具有第一纹理方向，所述贯通孔的第二部分具有第二纹理方向，并且所述第一纹理方向不同于所述第二纹理方向。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述顶部部分的所述第一顶部宽度在1.4μm至10μm之间的范围内，并且所述底部部分的所述第二顶部宽度在0.6μm至8μm之间的范围内。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述顶部部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄曜群，柯宗佑，薛长荣，顾旻峰，何军，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：