温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本公开的实施例提供了半导体结构。半导体结构包括:金属线,位于第一衬底上方;第二衬底,位于金属线上方;以及贯通孔,穿过第二衬底并且落在金属线上。贯通孔包括具有至少85%的(111)晶体取向的铜填充物。贯通孔包括位于底部部分上方的具有第一顶部宽...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本公开的实施例提供了半导体结构。半导体结构包括:金属线,位于第一衬底上方;第二衬底,位于金属线上方;以及贯通孔,穿过第二衬底并且落在金属线上。贯通孔包括具有至少85%的(111)晶体取向的铜填充物。贯通孔包括位于底部部分上方的具有第一顶部宽...