半导体器件及其形成方法技术

实施例包括用于形成集成电路封装件的方法。在晶圆上方沉积第一介电层，第一介电层与晶圆的封装区域和划线区域重叠。形成沿第一介电层延伸并且延伸穿过第一介电层的第一金属化图案。在第一金属化图案和第一介电层上方沉积第二介电层，第二介电层与封装区域和划线区域重叠。从划线区域去除第二介电层，第二介电层保留在封装区域中。在从划线区域去除第二介电层之后，形成沿第二介电层延伸并且延伸穿过第二介电层的第二金属化图案。在划线区域中锯切晶圆和第一介电层。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

技术介绍

1、由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断改进，半导体工业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的改进源于最小部件尺寸的迭代减小，这允许更多的组件集成至给定区中。随着对缩小电子器件需求的增长，出现了对更小且更具创造性的半导体管芯封装技术的需求。

技术实现思路

1、本申请的一些实施例提供了一种半导体器件，包括：中介层，包括衬底通孔；再分布结构，包括：第一介电层，位于所述中介层上方，所述第一介电层在截面图中在所述第一介电层的第一侧壁之间具有第一宽度；第一金属化图案，沿所述第一介电层延伸并且延伸穿过所述第一介电层，所述第一金属化图案包括再分布线和密封环，所述再分布线接触所述衬底通孔，所述密封环在顶视图中在所述再分布线周围延伸，所述密封环与所述再分布线电隔离；以及第二介电层，位于所述第一金属化图案和所述第一介电层上方，所述第二介电层覆盖所述密封环的顶面，所述第二介电层在所述截面图中在所述第二介电层的第二侧壁之间具有第二宽度，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一介电层的所述第一侧壁和所述第二介电层的所述第二侧壁是倾斜的侧壁。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述中介层的第三侧壁具有第一部分和第二部分，所述第一部分与所述第二部分形成钝角，所述第一部分在所述第二部分和所述中介层的背侧之间延伸，所述第一介电层的所述第一侧壁设置在与所述中介层的所述第三侧壁的所述第一部分相同的平面中。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：

6.根据权利要求1所述的半导体器...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一介电层的所述第一侧壁和所述第二介电层的所述第二侧壁是倾斜的侧壁。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述中介层的第三侧壁具有第一部分和第二部分，所述第一部分与所述第二部分形成钝角，所述第一部分在所述第二部分和所述中介层的背侧之间延伸，所述第一介电层的所述第一侧壁设置在与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹玮安，吴振宇，王博汉，胡毓祥，郭宏瑞，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：