System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 光学器件及其制造方法技术_技高网

光学器件及其制造方法技术

技术编号:42634456 阅读:20 留言:0更新日期:2024-09-06 01:33
提出了光学器件和制造这样的光学器件的方法。在实施例中,光学器件是可调整分束器,其通过:在衬底上方形成第一掺杂剂区域,第一掺杂剂区域包括第一波导和第二波导;在第一波导和第二波导上方沉积包覆材料;以及在第一波导和第二波导上面形成第二掺杂剂区域制成,其中,形成第二掺杂剂区域包括形成在第一波导和第二波导上方延伸的第一区域,第一区域具有恒定浓度的第一掺杂剂。本申请的实施例还涉及光学器件及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及光学器件及其制造方法


技术介绍

1、电信号和处理是一种用于信号传输和处理的技术。近年来,光信号和处理已经用于越来越多的应用中,特别是由于用于信号传输的光纤相关的应用的使用。

2、光信号和处理通常与电信号和处理相结合,以提供成熟的应用。例如,光纤可以用于远程信号传输,并且电信号可以用于近程信号传输以及处理和控制。因此,形成了集成远程光学组件和近程电子组件的器件,用于光信号和电信号之间的转换以及光信号和电信号的处理。因此,封装件可以包括:包括光学器件的光学(光子)管芯和包括电子器件的电子管芯。


技术实现思路

1、本申请的一些实施例提供了一种制造光学器件的方法,所述方法包括:在衬底上方形成第一掺杂剂区域,所述第一掺杂剂区域包括第一波导和第二波导;在所述第一波导和所述第二波导上方沉积包覆材料;以及在所述第一波导和所述第二波导上面形成第二掺杂剂区域,其中,形成所述第二掺杂剂区域包括形成在所述第一波导和所述第二波导上方延伸的第一区域,所述第一区域具有恒定浓度的第一掺杂剂。

2、本申请的另一些实施例提供了一种制造光学器件的方法,所述方法包括:使用第一波导和第二波导形成第一耦合器、第一调制区域和第二耦合器;以及在所述第一波导和所述第二波导上面形成第一多晶硅材料,所述第一多晶硅材料具有恒定浓度的第一掺杂剂,所述第一多晶硅材料在所述第一耦合器上方延伸。

3、本申请的另一些实施例提供了一种光学器件,包括:第一波导,位于衬底上方;第二波导,位于所述衬底上方,其中,所述第一波导和所述第二波导形成第一耦合器、调制区域和第二耦合器;以及第一多晶硅材料,位于所述第一波导和所述第二波导上面,所述第一多晶硅材料具有恒定浓度的第一掺杂剂,所述第一多晶硅材料在所述第一耦合器上方延伸。

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【技术保护点】

1.一种制造光学器件的方法,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述第二掺杂剂区域还包括:

3.根据权利要求2所述的方法,还包括:

4.根据权利要求3所述的方法,其中,形成所述第一掺杂剂区域包括形成与所述第一波导物理接触的连接区域,所述连接区域具有比所述第一波导小的厚度。

5.根据权利要求4所述的方法,其中,形成所述第一掺杂剂区域包括形成与所述连接区域物理接触的第一接触区域,所述第一接触区域具有比所述连接区域更大浓度的第二掺杂剂。

6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述第一掺杂剂是n型掺杂剂,并且所述第二掺杂剂是p型掺杂剂。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述光学器件是分束器。

8.一种制造光学器件的方法,所述方法包括:

9.根据权利要求8所述的方法,还包括形成与所述第一耦合器、所述第一调制区域和所述第二耦合器串联的第三耦合器、第二调制区域和第四耦合器。

10.一种光学器件,包括:

【技术特征摘要】

1.一种制造光学器件的方法,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述第二掺杂剂区域还包括:

3.根据权利要求2所述的方法,还包括:

4.根据权利要求3所述的方法,其中,形成所述第一掺杂剂区域包括形成与所述第一波导物理接触的连接区域,所述连接区域具有比所述第一波导小的厚度。

5.根据权利要求4所述的方法,其中,形成所述第一掺杂剂区域包括形成与所述连接区域物理接触的第一接触区域,所述第一接触区域具...

【专利技术属性】
技术研发人员:李明沈天琳林炜恒夏兴国余振华
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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