【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例涉及半导体领域，更具体的，涉及形成接合组件的方法和用于形成接合组件的装置。
技术介绍
1、通常使用助焊剂将半导体管芯接合至封装衬底。然而，在接合工艺中使用助焊剂可能会对接合组件具有不利影响。例如，助焊剂可能含有可能污染接合表面的杂质。这可能会引起较差的电性能甚至器件失效。而且，在未彻底地清洁助焊剂的情况下，助焊剂残留物可能会残留在接合表面上并且导致可靠性问题。接合工艺期间使用的热量和压力可能会导致半导体管芯或封装衬底翘曲并且导致结构损坏，从而引起较差的对准和较差的电性能。在未正确执行接合的其他情况下，半导体管芯可能从封装衬底上剥离，从而引起器件失效。另外，随着时间的推移，助焊剂残留物可能会导致腐蚀、氧化和其他可靠性问题，从而降低器件的使用寿命。而且，助焊剂使用不当可能会导致较差的焊接，这可能会引起较差的电性能和器件失效。
技术实现思路
1、本专利技术的一些实施例提供了一种形成接合组件的方法，该方法包括：在具有低于17kpa的氧分压的低氧环境中提供至少第一封装衬底；在低氧环...
【技术保护点】
1.一种形成接合组件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个第一等离子体射流由至少一个等离子体处理系统生成，所述至少一个等离子体处理系统具有被引导至所述第一焊料材料部分的相应等离子体喷嘴。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，在整个所述第一等离子体封装件处理工艺过程中，将所述至少一个等离子体处理系统的每个等离子体喷嘴沿着至少一个相应的非垂直方向引导至所述第一焊料材料部分。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一等离子体封装件处理工艺期间的第一等离子体处理步骤中，所述第一半导体封装件沿着垂直方向...
【技术特征摘要】
1.一种形成接合组件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个第一等离子体射流由至少一个等离子体处理系统生成，所述至少一个等离子体处理系统具有被引导至所述第一焊料材料部分的相应等离子体喷嘴。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，在整个所述第一等离子体封装件处理工艺过程中，将所述至少一个等离子体处理系统的每个等离子体喷嘴沿着至少一个相应的非垂直方向引导至所述第一焊料材料部分。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一等离子体封装件处理工艺期间...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄晖闵，詹凯钧，郑明达，邱致远，安兰·艾登，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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