半导体结构及其形成方法技术

实施例是一种形成半导体结构的方法，包括在第一衬底上方形成第一介电层，第一介电层中具有第一金属化图案。该方法还包括在第一介电层和第一金属化图案上方形成第二介电层。该方法还包括在第二介电层上方形成牺牲焊盘并且牺牲焊盘延伸至第二介电层中，牺牲焊盘电耦接至第一金属化图案中的第一导电部件。该方法还包括在牺牲焊盘上执行电路探针测试。该方法还包括在执行电路探针测试之后，执行蚀刻工艺，蚀刻工艺去除牺牲焊盘。本发明专利技术的实施例还提供了半导体结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

技术介绍

1、由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断提高，半导体工业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的提高起因于最小部件尺寸的反复减小，这允许将更多组件集成到给定区域中。随着对缩小电子器件的需求的增长，出现了对半导体管芯的更小且更具创造性的封装技术的需求。这种封装系统的示例是叠层封装(pop)技术。在pop器件中，顶部半导体封装件堆叠在底部半导体封装件的顶部上，以提供高集成度和组件密度。pop技术通常能够在印刷电路板(pcb)上生产具有增强功能和小占位面积的半导体器件。

技术实现思路

1、本专利技术的一些实施例提供了一种形成半导体结构的方法，该方法包括：在第一衬底上方形成第一介电层，第一介电层中具有第一金属化图案；在第一介电层和第一金属化图案上方形成第二介电层；在第二介电层上方形成牺牲焊盘，并且牺牲焊盘延伸到第二介电层中，牺牲焊盘电耦接到第一金属化图案中的第一导电部件；对牺牲焊盘执行电路探针测试；以及在执行电路探针测试本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第三介电层物理接触所述第一导电部件。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述牺牲焊盘延伸到所述第二介电层的第一开口中以物理接触所述第一导电部件，其中，所述第一接合通孔延伸到所述第二介电层的第二开口中以物理接触所述第一导电部件。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二开口位于所述第一开口内。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲焊盘与第二导电部件重叠。

7.根据权利要求1所述的方法，其中...

【技术特征摘要】

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第三介电层物理接触所述第一导电部件。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述牺牲焊盘延伸到所述第二介电层的第一开口中以物理接触所述第一导电部件，其中，所述第一接合通孔延伸到所述第二介电层的第二开口中以物理接触所述第一导电部件。...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘醇鸿，苏安治，王敏哲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：