封装件及其形成方法技术

在实施例中，封装件包括集成电路管芯和中介层，集成电路管芯包括第一绝缘接合层和第一半导体衬底，中介层包括第二绝缘接合层和第二半导体衬底。第二绝缘接合层利用电介质对电介质接合直接接合至第一绝缘接合层。该封装件还包括位于中介层上方并且围绕集成电路管芯的密封剂。密封剂还沿着垂直于第一半导体衬底的主表面的线设置在第一绝缘接合层和第二绝缘接合层之间。本公开的实施例还涉及形成封装件的方法。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例涉及封装件及其形成方法。

技术介绍

1、自集成电路(ic)的开发以来，由于各种电子组件(即，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断改进，半导体工业已经经历了不断的快速增长。在大多数情况下，集成密度的这些改进来自于最小部件尺寸的反复减小，这允许将更多的组件集成到给定区域中。

2、这些集成改进本质上基本是二维(2d)的，因为由集成组件占据的区域基本上位于半导体晶圆的表面上。集成电路的增大的密度和区域的相应减小通常已经超过了将集成电路芯片直接接合到衬底上的能力。中介层已经用于将球接触区域从芯片的球接触区域再分布至中介层的更大区域。另外，中介层已经允许包括多个芯片的三维封装件。还已经开发了其他封装件以结合三维方面。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供了一种封装件，包括：集成电路管芯，包括第一绝缘接合层和第一半导体衬底；中介层，包括第二绝缘接合层和第二半导体衬底，其中，第二绝缘接合层利用电介质对电介质接合直接接合至第一绝缘接合层；以及密封剂，位于中介层上方并且围绕集成电路管芯，其本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种封装件，包括：

2.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述第一绝缘接合层在顶视图中具有倒角形状的拐角。

3.根据权利要求2所述的封装件，其中，所述第一半导体衬底在顶视图中具有直角拐角。

4.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述密封剂还延伸到所述第一绝缘接合层和所述第二绝缘接合层之间的界面中。

5.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述密封剂包括填充材料，并且其中，所述填充材料沿着垂直于所述第一半导体衬底的所述主表面的所述线设置在所述第一绝缘接合层和所述第二绝缘接合层之间。

6.根据权利要求1所述的封装件，还包括位于所述...

【技术特征摘要】

1.一种封装件，包括：

2.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述第一绝缘接合层在顶视图中具有倒角形状的拐角。

3.根据权利要求2所述的封装件，其中，所述第一半导体衬底在顶视图中具有直角拐角。

4.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述密封剂还延伸到所述第一绝缘接合层和所述第二绝缘接合层之间的界面中。

5.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述密封剂包括填充材料，并且其中，所述填充材料沿着垂直于所述第一半导体衬底的所述主...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宏宾，谢正贤，许立翰，吴伟诚，叶德强，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：