【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及一种半导体技术，且特别涉及一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、半导体集成电路(ic)产业经历了快速增长。集成电路(ic)设计及材料的技术进展已经产生了一代又一代的集成电路(ic)，其中每一代的电路都比前几代更小、更复杂。在集成电路(ic)的发展过程中，功能密度(即，每单位芯片面积内连装置的数量)普遍性增加，然而几何尺寸(即，可以使用制造工艺形成的最小部件(或线路))却为缩小。
2、随着半导体装置尺寸继续缩小，制造中可能出现挑战。举例来说，金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal,mim)结构可用于实现微电子元件，例如电容器。金属-绝缘体-金属(mim)结构可以形成为铜重布线层(redistribution layer,rdl)设计的一部分。然而，用于实现铜重布线层(rdl)设计的现有工艺可能导致金属-绝缘体-金属(mim)结构中的绝缘层的特性不佳，例如结晶度差及/或低于所需的介电常数。如此一来，可能会降低金属-绝缘体-金属(mim)结构的效能。
3、因此，虽然现有的半...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一介电层或该第三介电层包含氮化硅，而该第二介电层包含氧化硅。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该金属-绝缘体-金属结构包括多个含金属层以及多个绝缘层，且该多个绝缘体层各个夹设于该多个含金属层中对应的两者之间。
4.如权利要求1所述的半导体装置，还包括一导电结构，其垂直延伸穿过该第一介电层、该第二介电层以及该第三介电层。
5.如权利要求4所述的半导体装置，还包括：
6.一种半导体装置，包括：
7.如权利要求6所述的半导体装置
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一介电层或该第三介电层包含氮化硅，而该第二介电层包含氧化硅。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该金属-绝缘体-金属结构包括多个含金属层以及多个绝缘层，且该多个绝缘体层各个夹设于该多个含金属层中对应的两者之间。
4.如权利要求1所述的半导体装置，还包括一导电结构，其垂直延伸穿过该第...
【专利技术属性】
技术研发人员：周家玥，沈香谷，余立中，张文苓，黄镇球，陈殿豪，侯承浩，蔡欣宏，唐宇，李昆育，江淳修，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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