【技术实现步骤摘要】
本揭露是关于半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、随着半导体科技的发展，对于更高的储存容量、更快的处理系统、更高的效能以及更低的价格的需求日益增长。为了满足这些需求，半导体工业不断地缩小半导体装置的尺寸，例如金属氧化半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effecttransistors；mosfets)，其中包含平面式mosfets、鳍式场效应晶体管(fin field effecttransistors；finfets)以及栅极全环场效晶体管(gate-all-around field effecttransistors；gaa fets)。这样缩小尺寸的做法增加了半导体工艺的复杂度。
技术实现思路
1、根据本揭露的部分实施方式，提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括在一基板上，形成一鳍式结构；在该鳍式结构上，形成一多晶硅结构；执行一氮化工艺，以在该多晶硅结构的侧墙，形成一氮化层；在该氮化层上，形成一栅极间隔物；形成一漏极/源极区域，...
【技术保护点】
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中执行该氮化工艺包括控制该氮化工艺的参数，以形成具有一厚度为到的该氮化层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中执行该氮化工艺包括将该多晶硅结构暴露在一氮电浆下1秒到5秒的一持续时间。
4.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，其中执行该氮化工艺包括形成具有一厚度在到的该阻隔层。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，其中执行该氮化工艺包括将该多晶硅结构暴露在一...
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中执行该氮化工艺包括控制该氮化工艺的参数，以形成具有一厚度为到的该氮化层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中执行该氮化工艺包括将该多晶硅结构暴露在一氮电浆下1秒到5秒的一持续时间。
4.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，其中执行该氮化工艺包括形成具有一厚度在到的该阻隔层。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，其中执行该氮化...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪牧民，简汎轩，林志男，许凯翔，郑子健，叶书佑，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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