承载结构制造技术

本公开实施例提出一种承载结构。在一些实施例中，此方法包括在一基板之上形成一或多个装置、在一或多个装置之上形成一第一互连结构以及将第一互连结构接合到一承载结构。承载结构包括一半导体基板、一释放层以及一第一介电层，并且释放层包括一金属氮化物。此方法还包括翻转一或多个装置，使得承载结构位于一底部、执行背面工艺、翻转一或多个装置，使得承载结构位于一顶部以及将承载结构暴露于红外光。部分的释放层与第一介电层分离。

【技术实现步骤摘要】

本技术实施例涉及一种承载结构，尤其涉及一种半导体装置的承载结构。

技术介绍

1、半导体业界通过缩小最小特征尺寸不断提高集成电路(integrated circuits，ics)的处理能力和功耗。然而，近年来，工艺限制使得最小特征尺寸难以继续缩小。将二维(two-dimensional，2d)集成电路堆叠成三维(three-dimensional，3d)集成电路已成为继续提高集成电路处理能力和功耗的潜在方法。例如，在晶片到晶片(wafer-to-wafer)的多层堆叠应用中，晶片接合工艺(wafers bonding process)与背面工艺(backside process)可以改善高密度布线问题。这种接合过程使用复杂的技术，并且需要改进。

技术实现思路

1、本公开的目的在于提出一种承载结构，以解决上述至少一个问题。

2、为了解决前述的问题，本公开实施例提供一种承载结构形成方法，包括：在一基版上形成一或多个装置；在一或多个装置上形成一第一互连结构；将第一互连结构接合到一承载结构，承载结构包括一半本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种承载结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的承载结构，其特征在于，该释放层是一TiN层。

3.如权利要求2所述的承载结构，其特征在于，该TiN层通过物理气相沉积所形成。

4.如权利要求3所述的承载结构，其特征在于，该TiN层包括柱状结构。

5.如权利要求4所述的承载结构，其特征在于，该释放层的一顶表面是粗糙的。

6.如权利要求5所述的承载结构，其特征在于，该释放层的该顶表面具有从0.2纳米到5纳米的范围的表面粗糙度。

7.如权利要求1所述的承载结构，其特征在于，该释放层吸收来自一红外光的热量而膨胀。<...

【技术特征摘要】

1.一种承载结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的承载结构，其特征在于，该释放层是一tin层。

3.如权利要求2所述的承载结构，其特征在于，该tin层通过物理气相沉积所形成。

4.如权利要求3所述的承载结构，其特征在于，该tin层包括柱状结构。

5.如权利要求4所述的承载结构，其特征在于，该释放层的一顶表面是粗糙的。

6.如权利要求5所述的承载结构，其特征在于，该释...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁正庸，彭羽筠，叶韦廷，许志成，林耕竹，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：