【技术实现步骤摘要】
本技术实施例涉及一种承载结构，尤其涉及一种半导体装置的承载结构。
技术介绍
1、半导体业界通过缩小最小特征尺寸不断提高集成电路(integrated circuits，ics)的处理能力和功耗。然而，近年来，工艺限制使得最小特征尺寸难以继续缩小。将二维(two-dimensional，2d)集成电路堆叠成三维(three-dimensional，3d)集成电路已成为继续提高集成电路处理能力和功耗的潜在方法。例如，在晶片到晶片(wafer-to-wafer)的多层堆叠应用中，晶片接合工艺(wafers bonding process)与背面工艺(backside process)可以改善高密度布线问题。这种接合过程使用复杂的技术，并且需要改进。
技术实现思路
1、本公开的目的在于提出一种承载结构，以解决上述至少一个问题。
2、为了解决前述的问题，本公开实施例提供一种承载结构形成方法，包括：在一基版上形成一或多个装置；在一或多个装置上形成一第一互连结构；将第一互连结构接合到一承载结构，承载结构包括一半导体基板、一释放层以及一第一介电层，并且释放层包括一金属氮化物；翻转一或多个装置，使承载结构位于一底部；执行多个背面工艺；翻转一或多个装置，使承载结构位于一顶部；以及将承载结构暴露于红外光，部分的释放层与第一介电层分离。
3、本公开实施例还提供一种承载结构形成方法，包括：形成一承载结构，包括：在一半导体基板上沉积一第一介电层；通过一物理气相沉积工艺在第一介电层上沉积
4、本公开实施例又提供一种承载结构，包括一半导体基板、一第一介电层、一释放层、一第二介电层、一反射层以及一接合层。第一介电层设置于半导体基板上。释放层设置于第一介电层上。释放层是无碳的且包括一金属氮化物。第二介电层设置于释放层上。反射层设置于第二介电层上。接合层设置于反射层上。
5、根据本公开其中的一个实施方式，该释放层是一tin层。
6、根据本公开其中的一个实施方式，该tin层通过物理气相沉积所形成。
7、根据本公开其中的一个实施方式，该tin层包括柱状结构。
8、根据本公开其中的一个实施方式，该释放层的一顶表面是粗糙的。
9、根据本公开其中的一个实施方式，该释放层的该顶表面具有从0.2纳米到5纳米的范围的表面粗糙度。
10、根据本公开其中的一个实施方式，该释放层吸收来自一红外光的热量而膨胀。
11、根据本公开其中的一个实施方式，该红外光由一红外激光产生。
12、根据本公开其中的一个实施方式，该红外光是一皮秒红外激光。
13、根据本公开其中的一个实施方式，该红外光的一脉冲持续时间在10皮秒至100皮秒的范围。
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1.一种承载结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的承载结构，其特征在于，该释放层是一TiN层。
3.如权利要求2所述的承载结构，其特征在于，该TiN层通过物理气相沉积所形成。
4.如权利要求3所述的承载结构，其特征在于，该TiN层包括柱状结构。
5.如权利要求4所述的承载结构，其特征在于，该释放层的一顶表面是粗糙的。
6.如权利要求5所述的承载结构，其特征在于，该释放层的该顶表面具有从0.2纳米到5纳米的范围的表面粗糙度。
7.如权利要求1所述的承载结构，其特征在于，该释放层吸收来自一红外光的热量而膨胀。
8.如权利要求7所述的承载结构，其特征在于，该红外光由一红外激光产生。
9.如权利要求8所述的承载结构，其特征在于，该红外光是一皮秒红外激光。
10.如权利要求7所述的承载结构，其特征在于，该红外光的一脉冲持续时间在10皮秒至100皮秒的范围。
【技术特征摘要】
1.一种承载结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的承载结构，其特征在于，该释放层是一tin层。
3.如权利要求2所述的承载结构，其特征在于，该tin层通过物理气相沉积所形成。
4.如权利要求3所述的承载结构，其特征在于，该tin层包括柱状结构。
5.如权利要求4所述的承载结构，其特征在于，该释放层的一顶表面是粗糙的。
6.如权利要求5所述的承载结构，其特征在于，该释...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁正庸，彭羽筠，叶韦廷，许志成，林耕竹，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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