本公开涉及后段线程存储器器件。本公开描述了具有衬底、第一互连区域、第二互连区域和存储器器件区域的结构。第一互连区域位于衬底之上并且包括第一互连结构。第二互连区域位于第一互连区域之上并且包括电连接到第一互连结构的第二互连结构。此外，存储器...

本文描述了栅极隔离工艺(例如，栅极至源极/漏极接触件隔离)。示例性接触栅极隔离工艺可以包括：使栅极结构的高k栅极电介质和栅极间隔件的侧壁部分凹进(例如，通过蚀刻)以形成暴露栅极结构的栅电极的侧壁的接触栅极隔离(CGI)开口；沿栅电极的侧...

一种制造混合SOI衬底的方法，包括在半导体本体上外延生长牺牲层，然后外延生长上部半导体层。牺牲层可以是重掺杂的半导体。重掺杂允许牺牲层被选择性地蚀刻，同时使上部半导体层基本上完好无损。掩蔽半导体本体的SOI区，同时从半导体本体的外围区蚀...

提供一种记忆体装置。记忆体装置包含至少一反相器、耦接在此至少一反相器及位元线之间的晶体管以及耦接位元线的辅助电路。辅助电路用以提供负电压至位元线以及用以拉低提供给此至少一反相器的电源供应电压。本揭露的一实施例有助于节省记忆体装置的能耗及...

一种金属‑绝缘体‑金属装置及其制造方法，金属‑绝缘体‑金属(MIM)装置包括第一金属、设置在第一金属上的第一覆盖层、设置在第一覆盖层上的绝缘体层、设置在绝缘体层上的第二覆盖层、设置在第一金属上的第二覆盖层及设置在第二覆盖层上的第二金属。...

本技术的实施例提供一种集成电路包括接合到第二IC芯片的第一IC芯片。第一IC芯片包括设置在第一衬底和第一接合结构中的多个光电探测器。第一接合结构包括设置在第一多个导电接合垫上的第一多个接合接触件。第二IC芯片包括第二接合结构和第二衬底。...

一种形成源极/漏极区的方法包括形成第一纳米结构于基板上方。然后形成第二纳米结构于第一纳米结构上方。磊晶生长第一源极/漏极区相邻于第一纳米结构。磊晶生长第二源极/漏极区于第一源极/漏极区上方及相邻于第二纳米结构。执行布植工艺以布植杂质于第...

一种半导体装置、记忆体装置及其操作方法。记忆体装置包含多个记忆体单元。多个记忆体单元中的每一者包含用以储存一定量的电荷的电容器及电耦接至电容器的多个晶体管。基于脉冲信号，多个晶体管的第一子集用以形成第一导电路径，且多个晶体管的第二子集用...

本公开实施例的一个方面涉及器件。器件包括：衬底；逻辑电路，设置在衬底上；以及纳米机电系统(NEMS)器件，电连接至逻辑电路并且形成在衬底上。NEMS器件包括：第一电极，电连接至逻辑电路；第二电极，电连接至第一电源；可移动部件，电连接至第...

描述了电容器结构及其形成方法。在一些实施例中，结构包括第一阱区域、设置在第一阱区域上方的第一半导体层、设置在第一半导体层上的第二半导体层以及设置在第二半导体层上的介电层。介电层具有顶面、底面、朝向第二半导体层延伸的一个或多个突起以及顶面...

提供了一种装载端口第一辅助平台及应用于半导体工艺的方法以及系统。一种用于半导体工艺的系统包含：半导体工艺系统，包含：半导体工艺仪器，用以执行至少一种半导体工艺；及装载端口，连接半导体工艺仪器且用以将装在晶圆容器的晶圆载入至半导体工艺仪器...

本发明描述了一种具有用于芯片识别的识别器件的半导体器件、半导体结构，还描述了一种制造半导体结构的方法。半导体结构包括：第一沟道结构和第二沟道结构，位于衬底上；栅极结构，位于第一沟道结构和第二沟道结构上；外延结构，位于第一沟道结构和第二沟...

一种存储器器件，包括：多个一次性可编程(OTP)存储器单元，至少分组为第一部分和第二部分，第一部分和第二部分沿着第一横向方向彼此相邻设置；第一驱动器电路，沿着第一横向方向设置在第一部分旁边，其中，第一部分沿着第一横向方向介于第二部分和第...

本公开提供一种半导体装置。所述半导体装置包括第一反相器及第二反相器。第一反相器包括第一p型晶体管及第一n型晶体管。第一p型晶体管包括多个第一纳米结构，且多个第一纳米结构具有第一宽度。第一n型晶体管包括多个第二纳米结构，多个第二纳米结构具...

封装结构包括第一集成电路晶片、第一导体组位于第一集成电路晶片上、第二导体组位于第一集成电路晶片上、第一重布线层耦接至第一导体组与第二导体组、以及晶片层位于第一重布线层之下。晶片层包括第二集成电路晶片电性耦接至第一集成电路晶片、成型材料、...

本技术提供一种半导体装置结构。包括第一源极/漏极外延特征，设置于基板上方的NMOS区域中；第二源极/漏极外延特征设置于PMOS区域中；第一介电特征位于第一与第二源极/漏极特征间；第二介电特征相邻位于第一与第二介电特征间的第一源极/漏极特...

一种光子集成电路装置，包括：一基板；一波导，位于该基板上；以及一光学谐振器，位于该基板上；其中该光学谐振器渐逝耦合至一光子集成电路中的该波导；以及该波导与该光学谐振器在基板上的高度不同。

一种半导体结构，包括设置于一基底上且隔开的第一及第二垂直堆叠的多个通道构件、分别包围第一及第二垂直堆叠的通道构件的各个通道构件的第一及第二栅极堆叠。以及设置于第一栅极堆叠与第二栅极堆叠之间，并与之直接接触且延伸于基底内的一第一隔离结构。...

光子组件包括复合管芯。复合管芯包括：其中包括波导和光子器件的光子集成电路(PIC)管芯；其中包括半导体器件的电子集成电路(EIC)管芯；以及接触PIC管芯的顶表面并与EIC管芯横向间隔开的嵌入式光学连接器管芯。本申请的实施例还涉及形成光...

提供了包括第一衬底和第二衬底的封装结构。第一衬底包括具有第一横向尺寸的第一凸块和具有第二横向尺寸的第二凸块。第一凸块分布在第一衬底的第一区域中，并且第二凸块分布在第一衬底的第二区域中，其中，第一横向尺寸大于第二横向尺寸，并且第一凸块的第...