【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体技术，尤其涉及一种具有栅极隔离结构的半导体结构。
技术介绍
1、半导体集成电路(ic)行业经历了快速的增长。集成电路材料及设计上的技术进展产生了一代又一代的集成电路，每一代都比上一代的电路更小更加复杂。在集成电路的发展过程中，功能密度(即，每芯片面积上内连接装置的数量)普遍增加，而几何尺寸(即，使用制造工艺可以形成的最小部件(或线路))却在减少。这种微缩化工艺通常通过提高生产效率及降低相关成本来而提供诸多益处。
2、此种微缩化也增加了工艺及制造集成电路的复杂性，为了实现这些进展，需要在集成电路工艺及制造方面有类似的发展。举例来说，已经发展出各种方法来形成隔离结构，以将一或多个栅极结构划分为区部。虽然现有的隔离结构在隔离一或多个栅极结构的不同区段方面通常是足够的，然其在所有方面中并未令人满意。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提出一种半导体结构，以解决上述至少一个问题。
2、在一些实施例中，提供一种半导体结构，包括：一第一垂直堆叠的多个通道构件，...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
3.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，其中该第三垂直堆叠的多个所述通道构件与该第四垂直堆叠的多个所述通道构件之间的一距离小于该第一垂直堆叠的多个所述通道构件与该第二垂直堆叠的多个所述通道构件之间的一距离。
5.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，其中该基底具有一第一区域及一第二区域且该半导体结构还包括：
6.如权利要求5所述的半导体结构，其特...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
3.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，其中该第三垂直堆叠的多个所述通道构件与该第四垂直堆叠的多个所述通道构件之间的一距离小于该第一垂直堆叠的多个所述通道构件与该第二垂直堆叠的多个所述通道构件之间的一距离。
5.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，其中该基底具有一第一区域及一第二区域且该半导体结构还包括：
6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，其中该第一栅极堆叠及该第二栅极堆叠位于该第二区域中且与该第三隔离结构相邻，而该第三栅极堆叠及该第四栅极堆叠位于该第一区域中且与该第三隔离结构相邻。
7.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，其中第一隔离结构位于该第二区域中且与该第三隔离结...
【专利技术属性】
技术研发人员：张峰铭，林京毅，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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