【技术实现步骤摘要】
本技术实施例涉及一种半导体装置结构，尤其涉及一种具有经过改良的源极/漏极接点的半导体装置结构。
技术介绍
1、半导体集成电路(ic)工业已经历了指数性的成长。技术在ic材料及设计上的进步，已经产生了许多世代的ic，其中每一世代都具有比先前世代更小且更复杂的电路。在ic的发展过程中，功能密度(即：每单位芯片面积的互连装置的数量)通常会增加，而几何尺寸(即：使用制造工艺所能创建的最小组件(或线段))则会减少。这种微缩的过程通常通过增加生产效率以及降低相关成本的方式来提供益处。这种微缩同样也增加了处理及制造ic的复杂性。
2、因此，需要对ic的处理及制造进行改善。
技术实现思路
1、本公开实施例的目的在于提出一种半导体装置结构，以解决上述至少一个问题。
2、本公开实施例提供一种半导体装置结构。上述半导体装置结构包括第一源极/漏极外延特征，设置于基板上方的n型装置区域中；第二源极/漏极外延特征，设置于p型装置区域中；第一介电特征，设置于第一源极/漏极外延特征与第二源极/漏极...
【技术保护点】
1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，还包括一第一间隔物，设置于上述第一源极/漏极外延特征的一下方部分的侧壁上。
3.如权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，还包括一第二间隔物，设置于上述第二源极/漏极外延特征的一下方部分的侧壁上。
4.如权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，还包括一第一硅化物区域，设置于上述第一源极/漏极外延特征的上述第二部分上，其中上述第一金属层设置于上述第一硅化物区域上。
5.如权利要求4所述的半导体装置结构，其特征在于，还包括一...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，还包括一第一间隔物，设置于上述第一源极/漏极外延特征的一下方部分的侧壁上。
3.如权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，还包括一第二间隔物，设置于上述第二源极/漏极外延特征的一下方部分的侧壁上。
4.如权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，还包括一第一硅化物区域，设置于上述第一源极/漏极外延特征的上述第二部分上，其中上述第一金属层设置于上述第一硅化物区域上。
5.如权利要求4所述的半导体装置结构，其特征在于，还包括一第二硅化物区域，设置于上述第二源极/漏极外延特征的上述第二部...
【专利技术属性】
技术研发人员：沙哈吉·B·摩尔，张正伟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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