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本技术提供一种半导体装置结构。包括第一源极/漏极外延特征，设置于基板上方的NMOS区域中；第二源极/漏极外延特征设置于PMOS区域中；第一介电特征位于第一与第二源极/漏极特征间；第二介电特征相邻位于第一与第二介电特征间的第一源极/漏极特征；...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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