电容器结构及其形成方法技术

描述了电容器结构及其形成方法。在一些实施例中，结构包括第一阱区域、设置在第一阱区域上方的第一半导体层、设置在第一半导体层上的第二半导体层以及设置在第二半导体层上的介电层。介电层具有顶面、底面、朝向第二半导体层延伸的一个或多个突起以及顶面中的一个或多个开口。结构还包括设置在介电层上的栅极结构。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例提供了电容器结构及其形成方法。

技术介绍

1、金属氧化物半导体(mos)电容器广泛用于i/o信号噪声减小。mos电容器包括用作底部电极的注入区域。注入区域可以包括高浓度的掺杂剂，以增强电容量。然而，高掺杂剂浓度可能使得mos电容器在热工艺/处理之后具有泄漏路径。因此，需要改进的mos电容器。

技术实现思路

1、本申请的一些实施例提供了一种电容器结构，包括：第一阱区域；第一半导体层，设置在所述第一阱区域上方；第二半导体层，设置在所述第一半导体层上；介电层，设置在所述第二半导体层上，其中，所述介电层具有顶面、底面、朝向所述第二半导体层延伸的一个或多个突起以及所述顶面中的一个或多个开口；以及栅极结构，设置在所述介电层上。

2、本申请的另一些实施例提供了一种电容器结构，包括：第一阱区域；半导体层，设置在所述第一阱区域上方，其中，所述半导体层具有在从所述半导体层的底面至所述半导体层的顶面的方向上降低的n型或p型物质的梯度浓度，并且一个或多个开口形成在所述半导体层的所述顶面中；介电层，设置在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电容器结构，包括：

2.根据权利要求1所述的电容器结构，还包括设置在所述第一阱区域中的第二阱区域。

3.根据权利要求2所述的电容器结构，其中，所述第一阱区域和所述第二阱区域包括相同导电类型的掺杂剂。

4.根据权利要求2所述的电容器结构，其中，所述第二阱区域的掺杂剂浓度基本上大于所述第一阱区域的掺杂剂浓度。

5.根据权利要求1所述的电容器结构，其中，所述第一半导体层包括第一导电类型的物质，并且所述第一阱区域包括与所述第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂剂。

6.根据权利要求5所述的电容器结构，其中，所述第一半导体层和所述第...

【技术特征摘要】

1.一种电容器结构，包括：

2.根据权利要求1所述的电容器结构，还包括设置在所述第一阱区域中的第二阱区域。

3.根据权利要求2所述的电容器结构，其中，所述第一阱区域和所述第二阱区域包括相同导电类型的掺杂剂。

4.根据权利要求2所述的电容器结构，其中，所述第二阱区域的掺杂剂浓度基本上大于所述第一阱区域的掺杂剂浓度。

5.根据权利要求1所述的电容器结构，其中，所述第一半导体层包括第一导电类型的物质，并且所述第一阱区域包括与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟伟纶，陈重磊，郑安皓，李建纬，林彦良，萧茹雄，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：