封装件及其形成方法技术

技术编号:43496116 阅读:23 留言:0更新日期:2024-11-29 17:03
封装件包括:第一封装组件;第二封装组件,通过第一多个焊料连接件接合至第一封装组件;以及第一多个间隔连接件,从第一封装组件延伸至第二封装组件。第一多个间隔连接件的间隔连接件的直径大于第一多个焊料连接件的焊料连接件的高度,并且第一多个间隔连接件包括与第一多个焊料连接件不同的材料。本申请的实施例还涉及形成封装件的方法。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及封装件及其形成方法


技术介绍

1、由于各种电子组件(例如,晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断改进,半导体工业经历了快速发展。在很大程度上,集成密度的改进源于最小部件尺寸的迭代减小,这允许更多的组件集成至给定区中。随着对缩小电子器件需求的增长,出现了对更小且更具创造性的半导体管芯封装技术的需求。这样的封装系统的实例是层叠封装(pop)技术。在pop器件中,顶部半导体封装件堆叠在底部半导体封装件的顶部上,以提供高水平的集成和组件密度。pop技术通常能够在印刷电路板(pcb)上生产具有增强功能和小覆盖区的半导体器件。


技术实现思路

1、本申请的一些实施例提供了一种封装件,包括:第一封装组件;第二封装组件,通过第一多个焊料连接件接合至所述第一封装组件;以及第一多个间隔连接件,从所述第一封装组件延伸至所述第二封装组件,其中,所述第一多个间隔连接件的第一间隔连接件的直径大于所述第一多个焊料连接件的第一焊料连接件的高度,并且其中,所述第一多个间隔连接件包括与所述第一多个焊料连接件不同的材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种封装件,包括:

2.根据权利要求1所述的封装件,其中,在平面图中,所述第一多个间隔连接件的第一间隔连接件设置在所述第二封装组件的拐角区域中。

3.根据权利要求1所述的封装件,其中,在平面图中,所述第一多个间隔连接件的第一间隔连接件设置在所述第二封装组件的中心点处。

4.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述第二封装组件包括绝缘层,并且其中,所述第一多个焊料连接件和所述第一多个间隔连接件每个延伸穿过所述绝缘层。

5.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述第二封装组件包括绝缘层,其中,所述第一多个焊料连接件延伸穿过所述绝缘层,并且其中,...

【技术特征摘要】

1.一种封装件,包括:

2.根据权利要求1所述的封装件,其中,在平面图中,所述第一多个间隔连接件的第一间隔连接件设置在所述第二封装组件的拐角区域中。

3.根据权利要求1所述的封装件,其中,在平面图中,所述第一多个间隔连接件的第一间隔连接件设置在所述第二封装组件的中心点处。

4.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述第二封装组件包括绝缘层,并且其中,所述第一多个焊料连接件和所述第一多个间隔连接件每个延伸穿过所述绝缘层。

5.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述第二封装组件包括绝缘层,其中,所述第一多个焊料连接件延伸穿过所述绝缘层,并且其中,所述绝缘层覆盖所述第一多个间隔连接件的底面。

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【专利技术属性】
技术研发人员:林威宏谢棋君罗明华陈中志吴欣贤
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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