【技术实现步骤摘要】
本技术实施例涉及半导体结构，且特别涉及垂直晶体管及其形成方法。
技术介绍
1、晶体管是现代集成电路的关键元件。为了满足开关速度越来越快的需求，晶体管需要越来越大的驱动电流。与此同时，晶体管的栅极长度也在不断微缩化。微缩化栅极长度会导致被称作“短通道效应(short-channel effects)”的不良影响，栅极对电流的控制会受到影响。短通道效应包含漏极引致势垒下降(drain induced-barrier-lowering；dibl)以及次临界(sub-threshold)斜率的下降，这两者都会导致晶体管的性能下降。
2、使用多栅极晶体管结构可能有助于通过改善栅极在通道上的静电控制来减轻短通道效应。因此开发了鳍式场效晶体管(fin field-effect transistors；finfet)。为了进一步增加通道的控制，以及减轻短通道效应，也开发了具有垂直的全绕式栅极(gate-all-around；gaa)结构的晶体管，其中相应的晶体管也称作垂直全绕式栅极(vertical gate-all-around；vgaa...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，其中该第一垂直晶体管及该第二垂直晶体管形成一反相器。
4.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的半导体结构，其特征在于，还包括：一深导孔，位于该第一前侧电源线与该第一后侧电源线之间，且与该第一前侧电源线及该第一后侧电源线两者接触。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中该第一源极/漏极区及该第二源极/漏极区包括多个外延半导体区。
6.如权利要求1所述的半导体...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，其中该第一垂直晶体管及该第二垂直晶体管形成一反相器。
4.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的半导体结构，其特征在于，还包括：一深导孔，位于该第一前侧电源线与该第一后侧电源线之间，且与该第一前侧电源线及该第一后侧电源线两者接触。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中该第一源极/漏极区及该第二源极/漏极区包括多个外延半导体区。
6.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：张尚文，庄正吉，蔡庆威，邱奕勋，黄禹轩，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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