【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、半导体集成电路(ic)工业经历了指数级增长。ic材料和设计中的技术进步已经产生了多代ic，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在ic发展的过程中，功能密度(即，每芯片区的互连器件的数量)普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件(或线))已经减小。这种缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小的过程通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供好处。这样的缩小也增加了ic结构(诸如三维晶体管)和处理的复杂性，并且为了实现这些进步，需要ic处理和制造中类似的发展。
技术实现思路
1、本申请的一些实施例提供了一种半导体结构，包括：半导体层；第一外延源极/漏极部件，延伸至所述半导体层中；第一掺杂区域，位于所述第一外延源极/漏极部件之下的所述半导体层中，所述第一掺杂区域包括第一浓度的掺杂剂；第二外延源极/漏极部件，延伸至所述半导体层中；以及第二掺杂区域，位于所述第二外延源极/漏极部件之下的所述半导体...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一外延源极/漏极部件的底面和所述半导体层的顶面之间的第一距离小于所述第二外延源极/漏极部件的底面和所述半导体层的所述顶面之间的第二距离。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一掺杂区域和所述半导体层的顶面之间的第一距离小于所述第二掺杂区域和所述半导体层的所述顶面之间的第二距离。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一掺杂区域具有第一厚度，并且所述第二掺杂区域具有小于所述第一厚度的第二厚度。
5.根据权利要求1所述的半导体结...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一外延源极/漏极部件的底面和所述半导体层的顶面之间的第一距离小于所述第二外延源极/漏极部件的底面和所述半导体层的所述顶面之间的第二距离。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一掺杂区域和所述半导体层的顶面之间的第一距离小于所述第二掺杂区域和所述半导体层的所述顶面之间的第二距离。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一掺杂区域具有第一厚度，并且所述第二掺杂区域具有小于所述第一厚度的第二厚度。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一外延源极/漏极部件和所述第二外延源极/漏极部件包括硅锗...
【专利技术属性】
技术研发人员：许辰安，李建纬，郑安皓，林彦良，萧茹雄，钟伟纶，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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