【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例是有关于半导体技术，且特别是有关于半导体装置结构的形成方法。
技术介绍
1、集成电路(integrated circuit，ic)产业已经历了快速成长。在集成电路材料和设计上的技术进步产生了数代集成电路，每一代都比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路的发展史中，功能密度(即每一晶片区互连的装置数目)增加，同时几何尺寸(即制造过程中所产生的最小的组件或线路)缩小。此元件尺寸微缩化的制程提供增加生产效率与降低相关费用的益处。此元件尺寸微缩化也增加了加工和制造集成电路的复杂性。
2、因此，需要改善集成电路的加工及制造。
技术实现思路
1、在一些实施例中，提供半导体装置结构的形成方法，此方法包含形成栅极电极；在栅极电极上方形成遮罩结构；将遮罩结构图案化，以形成开口；通过施加具有第一脉冲方案的第一电源功率及第一偏压电源对栅极电极进行第一蚀刻制程，其中第一偏压电源具有第一频率，以沿横向方向控制蚀刻；以及通过施加具有第二脉冲方案的第二电源功率及第二偏压电源对暴露于开口中的...
【技术保护点】
1.一种半导体装置结构的形成方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置结构的形成方法，其中该第一脉冲方案包含该第一电源功率及该第一偏压电源两者的80％占空比。
3.如权利要求1所述的半导体装置结构的形成方法，更包括：在进行该第二蚀刻制程之前，进行一第三蚀刻制程，以将该开口延伸通过该栅极电极下方的一隔离区及该隔离区下方的一基底的一部分。
4.如权利要求1所述的半导体装置结构的形成方法，更包括：控制该第二电源功率在一功率水平及该第二偏压电源在一电压水平，使得该第二蚀刻制程对该遮罩结构的侧壁提供微调效果。
5.一种半导体装...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置结构的形成方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置结构的形成方法，其中该第一脉冲方案包含该第一电源功率及该第一偏压电源两者的80％占空比。
3.如权利要求1所述的半导体装置结构的形成方法，更包括：在进行该第二蚀刻制程之前，进行一第三蚀刻制程，以将该开口延伸通过该栅极电极下方的一隔离区及该隔离区下方的一基底的一部分。
4.如权利要求1所述的半导体装置结构的形成方法，更包括：控制该第二电源功率在一功率水平及该第二偏压电源在一电压水平，使得该第二蚀刻制程对该遮罩结构的侧壁提供微调效果。
5.一种半导体装置结构的形...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕志伦，陈秀绫，潘承纬，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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