本技术的实施例提供一种集成电路装置包括：半导体衬底；晶体管，包括在半导体衬底中的通道、在通道上方的栅极、在栅极和通道之间的栅极介电质、在栅极的相对两侧的源极和漏极区，其中源极和漏极区具有第一掺杂类型，通道具有相反的第二掺杂类型；漂移区，...

提供了半导体结构及其形成方法。在实施例中，示例性半导体结构包括第一晶体管。第一晶体管包括：第一栅极结构，包裹设置在衬底上方的多个第一纳米结构；第一源极/漏极部件，电耦合至多个第一纳米结构的最顶部纳米结构，并且通过第一介电层与多个第一纳米...

提供了半导体结构及其形成方法。在实施例中，示例性方法包括在第一鳍形有源区域上方沉积伪栅极材料层，图案化伪栅极材料层以形成伪栅电极，其中伪栅电极在第一鳍形有源区域和伪栅电极之间的界面处具有基脚部件，氧化基脚部件和伪栅电极的侧壁部分以形成介...

器件包括：衬底，具有半导体鳍；半导体沟道堆叠件，位于衬底上并且定位在鳍上方；栅极结构，包裹半导体沟道；源极/漏极，邻接半导体沟道；内部间隔件，定位在半导体沟道堆叠件和鳍之间；未掺杂半导体层，垂直邻近源极/漏极并且横向邻近鳍；以及隔离结构...

形成半导体器件的方法包括在开口中沉积目标金属层。沉积目标金属层包括实施多个沉积循环。多个沉积循环的初始沉积循环包括：在开口中流动第一前体；在流动第一前体之后，在开口中流动第二前体；以及在开口中流动反应物。第一前体附接至开口中的上表面，并...

存储器电路包括存储器阵列和外围电路。外围电路包括内部时钟生成电路和第一存取信号生成电路。内部时钟生成电路被配置为响应于控制信号脉冲，以在对应于控制信号脉冲的脉冲宽度的内部时钟时段生成内部时钟脉冲系列。第一存取信号生成电路被配置为响应于控...

提供了形成堆叠多栅极器件的金属栅极结构的方法。根据本公开实施例的方法包括：在包括底部沟道层和顶部沟道层的沟道区域上方沉积氮化钛(TiN)层；沉积伪填充层以覆盖底部沟道层的侧壁；在沉积伪填充层之后，沿顶部沟道层的侧壁在TiN层上方选择性形...

一种形成半导体晶粒的方法包含：在一晶圆上方形成一光阻层；将一第一光罩与该晶圆的一第一区域对准；对该光阻层在该晶圆的该第一区域内的一第一部分进行一第一曝光工艺；将一第二光罩与该晶圆的一第二区域对准，其中对准该第一光罩及对准该第二光罩为使用...

本申请提供了用于多栅极器件的隔离结构。根据本公开的半导体结构包括：衬底；第一基底鳍和第二基底鳍，从衬底产生；隔离结构，设置在第一基底鳍和第二基底鳍之间；第一多个沟道构件，设置在第一基底鳍之上；第二多个沟道构件，设置在第二基底鳍之上；区域...

一种半导体元件包含第一晶体管和第二晶体管。一第一晶体管包含第一半导体通道层、第一栅极结构，和第一源/漏极磊晶结构。第一半导体通道层具有第一晶向。第一栅极结构环绕第一半导体通道层。第一源/漏极磊晶结构位于第一半导体通道层的相对两端。第二晶...

存储器电路可以包括存储器阵列、输入/输出(I/O)电路和电源管理电路，存储器阵列包括多个存储器单元。I/O电路可以可操作地耦接到存储器阵列，并配置为读取或写入每个存储器单元。电源管理电路可以可操作地耦接到存储器阵列和I/O电路。电源管理...

本技术提供一种光子器件。边缘耦合器具有宽端、窄端以及逐渐改变的厚度。窄端耦合到光子集成电路(PIC)中的波导。宽端耦合到光学发送器或光学接收器。边缘耦合器通过向下逐渐改变厚度而增厚进入箱基板的埋入式氧化物层中。边缘耦合器的上表面可以是平...

一种存储器器件，包括随机呈现第一逻辑状态或第二逻辑状态的反熔丝存储器单元。存储器单元形成在衬底的前侧上，并且至少包括第一编程晶体管和第一读取晶体管，第一编程晶体管形成在设置在前侧上的多个金属化层中的第一金属化层中，并由第一编程字线选通，...

提供了包括具有器件区域和伪区域的衬底的半导体结构及其制造方法。第一有源区域设置在器件区域中的衬底上方，并且第二有源区域位于伪区域中的衬底上方。第一操作栅极结构位于第一有源区域上方，并且第一非操作栅极结构位于第二有源区域上方。n型掺杂剂的...

本技术实施例的各种实施例涉及一种包括具有半导体电阻器结构的半导体装置和用于形成半导体电阻器结构的技术。技术包括在层(例如，渐变电阻层)内形成具有不同硅/铬比率的硅铬材料的层作为形成半导体电阻器结构的一部分。渐变电阻层可以补偿可能导致渐变...

回流焊料工具的区段加热器组装件包括具有单层结构的气体导流器。单层结构可以包括一个或多个气体渗透图案，工艺气体将通过气体渗透图案从一个或多个气体出口流至区段加热器组装件的排气口。单层结构中的一个或多个气体渗透图案促进了通过排气口并且进入回...

本公开的实施例提供半导体装置结构。上述结构包括设置于基底上的源极/漏极区、围绕源极/漏极区的第一部的第一层间介电层、围绕源极/漏极区的第二部的不同于第一层间介电层的第二层间介电层、设置于源极/漏极区上的硅化物层以及设置于源极/漏极区上的...

提出了光学器件和制造方法，其中利用反射镜结构来向光学器件传输光信号并且从光学器件接收光信号。在实施例中，反射镜结构从光学器件的外部接收光信号，并且通过至少一个反射镜将光信号定向至光学器件的光学组件。本申请的实施例还涉及光学器件及其制造方法。

半导体封装件包括第一半导体管芯和接合在第一半导体管芯上方的第二半导体管芯。第二半导体管芯包括具有第一电源轨结构的第一背侧互连结构。集成电压调节器管芯接合在第二半导体管芯上方，从而使得集成电压调节器管芯电连接至第一电源轨结构。通孔位于第一...

一种晶粒接合系统，包括取放器、载体固定平台、以及传送平台。取放器包括用于拾取晶粒并将晶粒放置在载体上的吸头。载体固定平台用以固定载体。载体具有排列为面朝下或相对于水平的平面以一角度倾斜的承载表面。传送平台包括驱动器，取放器排列在传送平台...