半导体元件制造技术

一种半导体元件包含第一晶体管和第二晶体管。一第一晶体管包含第一半导体通道层、第一栅极结构，和第一源/漏极磊晶结构。第一半导体通道层具有第一晶向。第一栅极结构环绕第一半导体通道层。第一源/漏极磊晶结构位于第一半导体通道层的相对两端。第二晶体管位于第一晶体管上方，且具有和第一晶体管不同的导电类型，其中第二晶体管包含第二半导体通道层、第二栅极结构和第二源/漏极磊晶结构。第二半导体通道层具有不同于第一晶向的第二晶向。第二栅极结构环绕第二半导体通道层。第二源/漏极磊晶结构位于第二半导体通道层的相对两端。

【技术实现步骤摘要】

本揭露是关于一种半导体元件。

技术介绍

1、半导体集成电路(integrated circuit；ic)工业历经了指数性的成长。集成电路材料及设计的技术发展已创造了数代集成电路，每一代皆有比上一代更小且更复杂的电路。集成电路的演化的过程中，功能密度(如每个晶片内的互连接元件的数量)不断提升，而元件尺寸(如工艺所能制造出的最小组件)则不断缩小。尺寸缩小的工艺一般提供了生产效率的提升以及减少相关的浪费。然而，随着特征的尺寸缩小，工艺持续地变得更难。因此，随着尺寸越来越小，形成可靠的半导体元件是一挑战。

技术实现思路

1、根据本揭露的部分实施例，一种半导体元件包含第一晶体管和第二晶体管。一第一晶体管包含第一半导体通道层、第一栅极结构，和第一源/漏极磊晶结构。第一半导体通道层具有第一晶向。第一栅极结构环绕第一半导体通道层。第一源/漏极磊晶结构位于第一半导体通道层的相对两端。第二晶体管位于第一晶体管上方，且具有和第一晶体管不同的导电类型，其中第二晶体管包含第二半导体通道层、第二栅极结构和第二源/漏极磊晶结构。第二半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，其中该第一晶向为100晶向且该第一晶体管为一N型晶体管，而该第二晶向为110晶向且该第一晶体管为一P型晶体管。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，其中该第一晶向为110晶向且该第一晶体管为一P型晶体管，而该第二晶向为100晶向且该第一晶体管为一N型晶体管。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，其中该第一晶体管垂直地位于一基板和该第二晶体管之间，其中该基板具有相同于该第一晶向的一第三晶向。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，其中该第一晶向为100晶向且该第一晶体管为一n型晶体管，而该第二晶向为110晶向且该第一晶体管为一p型晶体管。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，其中该第一晶向为110晶向且该第一晶体管为一p型晶体管，而该第二晶向为100晶向且该第一晶体管为一n型晶体管。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，其中该第一晶体管垂直地位于一基板和该第二晶体管之间，其中该基板具有相同于该第一晶向的一第三晶向。

5.如权利要求1所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：白佳灵，黄智扬，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：