半导体光子器件包括多层耦合器结构。多层耦合器结构包括多个光耦合器层，这使得光耦合器层的特性能够配置为实现用于光波长广谱的有效光耦合。这使得多层耦合器结构能够处理宽带宽光信号，这使得半导体光子器件能够支持高带宽光通信应用。此外，多层耦合器...

本申请的实施例公开了存储器电路及其操作方法。存储器电路包括存储器阵列，存储器阵列包括多个非易失性存储器单元，其中非易失性存储器单元沿多个存取线布置，多个存取线沿横向方向延伸。存储器电路包括第一存取电路，在横向方向上物理地设置在存储器阵列...

本揭露的一些实施例描述一种处理系统及处理工具排气分配板。处理系统包括台座及排气系统。台座用以保持基板。排气系统可包括带有排气孔的穿孔板以及排气端口。穿孔板定位于基板与排气端口之间。排气孔中的每一个包括挡板。

一种半导体装置。第一金属栅极堆叠位于第一通道区上方。第二金属栅极堆叠位于第二通道区上方。源极/漏极特征位于第一通道区与第二通道区之间。源极/漏极接触件位于源极/漏极特征上方。第一介电质顶盖位于第一金属栅极堆叠上方。第二介电质顶盖位于第二...

本公开涉及半导体器件及方法。提供了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件可以包括：第一多个纳米结构和第二多个纳米结构，在衬底之上；第一栅极堆叠和第二栅极堆叠，第一栅极堆叠在第一多个纳米结构中的纳米结构之间延伸，第二栅极堆叠在第二多个纳...

本发明提供了光致抗蚀剂底层材料及相关方法。半导体器件可以使用由一种或多种材料形成的多层光致抗蚀剂来制造，所述一种或多种材料减少残留材料保留在所述多层光致抗蚀剂中的可能性和/或所述残留材料的量。所述多层光致抗蚀剂的光致抗蚀剂底层包含具有高...

本申请公开了竖直栅极全环绕(GAA)存储器单元及其形成方法。本公开的各种实施例涉及竖直栅极全环绕(GAA)存储器单元。中间导体上覆于下导体，并且宽度朝向下导体减小，以到达与下导体间隔开的点。绝缘体结构在下导体和中间导体之间。半导体沟道上...

本申请涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在设置在衬底之上的第一电介质层中形成通孔；在第一电介质层之上形成第二电介质层；在第二电介质层中形成开口，其中，开口暴露通孔的上表面；在通孔的上表面之上选择性地形...

本揭示文件提供一种解码器装置及字线解码器电路。在一态样中，解码器装置包含第一逻辑门及第二逻辑门。第一逻辑门用以接收停用信号及第一输入信号，并在第一输出节点处产生第一解码器输出信号。第二逻辑门用以接收停用信号及第二输入信号，并在第二输出节...

一种半导体结构以及缝合晶粒。半导体结构包括：第一半导体晶粒，包括第一接触垫；第二半导体晶粒，包括第二接触垫；缝合晶粒，位于第一半导体晶粒和第二半导体晶粒之上，并且包括连接到第一接触垫的第三接触垫和连接到第二接触垫的第四接触垫。该装置还包...

本公开提供一种半导体结构。半导体结构包含基板，其具有电路区及围绕电路区的密封环区；多个第一有源区具有第一宽度且设置于电路区中；多个第二有源区具有第二宽度且设置于密封环区中；多个第一栅极结构，设置于第一有源区上；多个第二栅极结构设置于第二...

本技术的实施例提供一种半导体结构包括第一封装组件，第一封装组件包括第一表面介电层，第一表面介电层包括多个第一部分和多个第二部分。多个第一部分从所述第一表面介电层的表面延伸到所述第一表面介电层中，其中所述第一部分有第一氧原子百分比，多个第...

一种晶片封装结构包括第一半导体装置、第二半导体装置、晶粒接合结构、封装托架及应力平衡结构。第一半导体装置具有第一再分布结构，第二半导体装置具有第二再分布结构，且晶粒接合结构电连接于第一再分布结构与第二再分布结构之间。封装托架覆盖第一半导...

一种半导体装置，包含：基板、隔离结构、第一主动区域、第一多个导体、第二主动区域、第二多个导体、以及次级结构。隔离结构在基板中。第一主动区域在隔离结构的第一侧上。第一多个导体形成在第一主动区域上方。第二主动区域在与第一主动区域相对的隔离结...

本公开的各种实施例涉及一种具有PCM凹陷的相变材料(PCM)射频(RF)开关。PCM结构上覆于加热器，第一电极和第二电极分别位于PCM结构的相对侧并与其电耦合。PCM凹陷位于PCM结构的顶部，并在PCM结构的有源部分上覆于加热器。此外，...

一种存储器器件包括阵列，该阵列具有形成在衬底一侧上的多个一次性可编程(OTP)存储器单元、多个字线(WL)、多个位线(BL)和多个控制栅极(CG)线。每个OTP存储器单元包括第一熔丝电阻器、第二熔丝电阻器、第一晶体管和第二晶体管。第一熔...

一种集成电路设计实施系统及半导体封装的方法及计算机程序产品，集成电路设计实施系统包括用以接收半导体封装的组态的晶粒至晶粒(D2D)编译器。半导体封装包括彼此接合的第一半导体晶粒与第二半导体晶粒。D2D编译器用以基于半导体封装的组态分别为...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种半导体器件结构。该半导体器件结构包括：源极/漏极(S/D)特征，设置在衬底之上并且位于两个相邻的半导体层之间；内部间隔件，设置在一个半导体层和衬底之间并且与该半导体层和衬底接触；以及电介质层结...

本公开涉及半导体器件中的外延结构。公开了一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法。半导体器件包括：衬底、被设置在衬底上的第一纳米结构沟道区域和第二纳米结构沟道区域、围绕第一纳米结构沟道区域和第二纳米结构沟道区域的栅极结构、沿着栅极结构的...

本技术的实施例提供一种半导体封装，其包括在衬底之上且包括延伸穿过第一半导体衬底的第一导通孔的第一管芯、相对于第一管芯在侧向上移位且包括延伸穿过第二半导体衬底的第二导通孔的第二管芯、在第一与第二管芯之间且在第一衬底上方突出的第一管芯间隔件...