提供了一种形成半导体结构的方法。该方法包括形成第一有源区，其中第一半导体层和第二半导体层交替堆叠在第一下部鳍元件上。在平面图中，有源区包括第一部分和比第一部分窄的第二部分。该方法还包括去除第一有源区的第一半导体层。第一有源区的第一部分的...

封装件包括中介层；连接到中介层的光子互连结构，其中，光子互连结构包括：光子组件；光耦合到光子组件的波导；和电耦接到光子组件的电子管芯；以及电连接到中介层的管芯，其中，管芯通过中介层电耦接到光子互连结构。本公开的实施例还提供了形成封装件的...

本公开涉及深沟槽电阻器结构及其形成方法。描述了深沟槽电阻器结构及其形成方法。该结构包括：第一沟槽，位于第一电介质材料中；第一层，设置在所述第一电介质材料之上；第二层，设置在所述第一层上；第二电介质材料，设置在所述第二层之上；以及可调器件...

一种封装结构，包含第一芯片结构，第一芯片结构包含第一电子装置及第一互连结构，电性连接至第一电子装置的前侧。第一芯片结构还包含第一背侧导通孔，电性连接至第一电子装置的背侧，以及第一波导层，与第一电子装置重叠。此外，第一波导层比起第一电子装...

根据本公开的半导体结构包括：第一存储器单元，其包括第一下拉晶体管和第一上拉晶体管，共享沿着第一方向延伸的第一栅极结构；第二下拉晶体管和第二上拉晶体管，共享沿着第一方向延伸的第二栅极结构；第一传输栅极晶体管，具有沿着第一方向与第二栅极结构...

一些实施例涉及一种集成电路(IC)器件，其包括衬底、设置在衬底上并彼此分离的多个导电结构、以及设置在衬底上方并直接接触多个导电结构中的每个的至少一个电绝缘结构。至少一个电绝缘结构具有大于5瓦特每米开尔文(W/m‑K)的导热率。本申请的实...

本公开实施例涉及集成电路(IC)结构。IC结构包括具有前侧和与前侧相对的背侧的半导体器件。第一互连结构设置在半导体器件的前侧上。第一互连结构包括具有多个层间介电(ILD)层的第一介电结构。第二介电结构设置在半导体器件的背侧上。第二介电结...

半导体器件包括非易失性存储器结构。与非易失性存储器结构耦合的半导体器件中的金属化层的布局被配置为在非易失性存储器结构中实现低电迁移可能性，特别是在与汽车和/或工业等苛刻应用相关的操作温度参数下。非易失性存储器结构与第一金属化层电耦合。第...

封装件包括：中介层，其中，中介层包括第一波导和光学耦合至第一波导的第一反射器；以及光学封装件，附接至中介层，其中，光学封装件包括：第二波导；以及第二反射器，第二反射器光学耦合至第二波导，其中，第二反射器与第一反射器垂直对准。本申请的实施...

本公开提供了一种集成电路(IC)结构，其包括：衬底，具有电路区和芯片角部区；IC器件，形成在电路区内的衬底上；钝化层，形成在IC器件上方；以及聚酰亚胺层，形成在钝化层上方，其中，钝化层和聚酰亚胺层包括形成在芯片角部区中的应力释放图案。本...

通过在第一半导体管芯中的接合焊盘处用第二半导体管芯中的接合通孔接合第一半导体管芯和第二半导体管芯并且通过接合第一半导体管芯中和第二半导体管芯中的介电层来形成半导体器件。从第二半导体器件省略接合焊盘，而是使用接合通孔来接合第一半导体管芯和...

封装结构包括：封装衬底；中介层模块；封装盖；以及散热结构，位于中介层模块和封装盖之间，散热结构包括：热界面材料(TIM)层；以及金属阻挡层，位于TIM层和中介层模块或封装盖中的至少一个之间，并且配置为抑制金属间化合物(IMC)层的形成。...

根据本公开的半导体结构包括第一高速缓冲存储器中的第一存储器阵列和第二高速缓冲存储器中的第二存储器阵列。第一存储器阵列包括布置在M1个行和N1个列中的多个第一存储器单元。第二存储器阵列包括布置在M2个行和N2个列中的多个第二存储器单元。半...

本技术的各种实施例是关于一种提供非门逻辑功能的半导体装置结构，包括层堆叠，所述层堆叠包括具有相反导电类型的一对半导体层以及设置于其间的介电隔离层。第一电极及第二电极位于层堆叠的第一侧上，其中第一电极接触第一半导体层的第一侧表面，且第二电...

一种半导体装置，包括：图案化钝化层，设置于接触垫上；以及图案化聚酰亚胺层，设置于图案化钝化层上。图案化钝化层定义导孔开口的下部，导孔开口穿过图案化聚酰亚胺层和图案化钝化层，且其中图案化聚酰亚胺层定义导孔开口的上部。半导体装置更包括金属层...

一种半导体装置包括一半导体基板、一第一晶体管、该第一晶体管上方的一第二晶体管，及一第一隔离结构。该第一晶体管在该半导体基板上。该第一晶体管包含一第一通道、一第一源极及一第一漏极。该第一源极及该第一漏极在该第一通道的相对侧上。该第二晶体管...

半导体装置包括第一全绕式栅极场效晶体管与第二全绕式栅极场效晶体管；以及墙鳍状物，位于第一全绕式栅极场效晶体管与第二全绕式栅极场效晶体管之间，并位于隔离绝缘层上。墙鳍状物包括第一介电层、第二介电层位于第一介电层上、以及第三介电层；第一介电...

本公开描述了具有电介质鳍结构的半导体器件。该半导体器件包括在衬底上的沟道结构和在衬底上并且与沟道结构相邻的电介质鳍结构。沟道结构沿第一方向延伸。该电介质鳍结构包括硬质电介质材料，并且沿与第一方向平行的第二方向延伸。该半导体器件还包括延伸...

一种方法包括：将第一信号耦合至阻抗；确定在第一时间内第一信号经过阻抗的第一平均电流，第一平均电流对应于第一信号的工作周期；将第二信号耦合至阻抗；确定在第二时间内第二信号经过阻抗的第二平均电流，第二平均电流对应于第二信号的第一工作周期；根...

本公开涉及斜面密封系统及其使用方法。在实施例中，一种斜面密封系统，包括：分配室，该分配室包括：第一卡盘，被配置为支撑工件，工件包括被键合到第二晶圆的第一晶圆，其中，第一晶圆和第二晶圆包括斜切边缘；密封剂分配器，被配置为沿着第一晶圆和第二...