本发明提供一种制造半导体装置的方法，所述方法包括将第一晶粒和第二晶粒接合到晶圆的第一侧，其中在将第一晶粒和第二晶粒接合到晶圆的第一侧之后，在第一晶粒和第二晶粒之间设置间隙，其中间隙的第一部分具有大于间隙的第二部分的第二宽度的第一宽度，在...

本申请的实施例公开了一种制造半导体结构的方法，该方法包括从晶圆的第一布局中找出第一多个穿硅通孔，以及从第一多个穿硅通孔中找出第二多个穿硅通孔。第二多个穿硅通孔并联连接。将第二多个穿硅通孔合并为大穿硅通孔以产生晶圆的第二布局。

描述了半导体器件结构及其形成方法。该方法包括：从衬底形成鳍结构，在鳍结构的第一半导体层上沉积第一半导体材料，在第一半导体材料上沉积第二半导体材料，在第二半导体材料之上沉积层间电介质层，在层间电介质层中形成开口以暴露第二半导体材料，以及执...

提供一种半导体结构及其形成方法。在一实施例中，一种方法包括：接收工件，所述工件包括形成于衬底的第一侧之上的第一晶体管及第二晶体管；在衬底的第一侧之上形成第一多层式内连线(MLI)结构，其中第一MLI结构包括第一多条金属线及第一多个通孔；...

一种光阻剂组合物和形成光阻图案及图案化材料层的方法。光阻剂组合物包括有机聚合物及可漂浮聚合物。可漂浮聚合物的表面能低于有机聚合物的表面能。固化后，可漂浮聚合物在由有机聚合物形成的光阻层上形成表面层。表面层的存在减少了光学耀斑及化学耀斑，...

本技术的实施例提供一种半导体装置结构包括位于衬底之上的并联连接的电容器开关总成。电容器开关总成包括第一电容器开关总成，其包括第一串联连接的第一电容器与第一非欧姆开关装置，第一非欧姆开关装置具有第一阈值电压且包括第一初级和第一次级开关电极...

本发明提供一种波导光侦测器包括在衬底上的板、从板向上突出的第一和第二接点部分以及从第一和第二接点部分之间的板向上突出的脊。第一半导体层在衬底上，并包括第一接点部分中的第一掺杂区、第一接点部分和脊之间的板中的第二掺杂区、脊中的第三掺杂区和...

提供了一种设计半导体结构的方法。该方法包括判定接触结构图的第一热点区域。该方法包括根据第一预定义扩大轮廓来扩大该第一热点区域，以判定该接触结构图的第一扩大区域。该方法包括判定该第一扩大区域的第一部分与功能组件的功能区域重叠。该方法包括判...

本技术提供一种基板处理设备以及热处理系统。基板保持器传输机构的底板设置有阻尼部件，以在基板传输机构受到不必要的外力(例如地震力)时辅助弹性部件阻尼和限制基板保持器传输机构的移动。通过阻尼和限制基板保持器传输机构的移动，可以最小化对收容在...

一种形成封装件的方法包括形成器件管芯，形成器件管芯包括在半导体衬底上形成集成电路；以及形成延伸到半导体衬底中的导热柱。冷却介质附接在半导体衬底上方并且接触半导体衬底以形成封装件，其中冷却介质热耦接至导热柱。本公开的实施例还涉及封装件。

在一个实施例中，一种形成半导体器件的方法包括：在半导体衬底中形成第一开口，在平面图中，第一开口具有环形形状；在第一开口中形成介电保护环；沿着半导体衬底的第一表面形成有源器件；在有源器件上方形成第一金属化层；穿过半导体衬底形成第二开口，第...

一种制造半导体器件的方法包括：在器件层的第一侧上方形成第一多层互连结构，第一多层互连结构包括设置在第一介电层中的图案化的第一金属层，器件层具有与第一侧相对的第二侧；在器件层的第二侧下方形成第二多层互连结构的第一部分，第二多层互连结构的第...

本技术提供一种影像传感器，包括半导体衬底、光侦测器、上部钝化层、中间钝化层以及背侧隔离结构。所述半导体衬底，具有前侧及背侧。所述光侦测器，位于所述半导体衬底内。所述上部钝化层，位于所述背侧上。所述中间钝化层，位于所述上部钝化层与所述背侧...

本技术的实施例提供一种半导体装置结构包括：位于衬底上的多个半导体装置、位于上覆于所述半导体装置上的多个介电材料层中的多个金属内连线结构以及非欧姆电压触发式开关。非欧姆电压触发式开关包括第一开关电极、第二开关电极以及非欧姆开关材料部分，第...

一种包括多层级半导体波导以及多层级导体加热器的集成芯片，包括基部电介质层和基部电介质层上的多层级半导体波导层。多层级半导体波导层具有第一波导层，第一波导层在基部电介质层上的第一高度处具有第一宽度。多层级半导体波导层具有第二波导层，第二波...

一种半导体装置及其形成方法，半导体装置的形成方法包括以下步骤：在基板上形成第一罩幕；在该第一罩幕中形成多个第一开口及第二开口；在由所述多个第一开口曝露的该基板的第一区域中形成第一井，且在由该第二开口曝露的该基板的第二区域中形成对准布植物...

公开一种形成半导体装置的源极/漏极区的方法。此方法包含形成鳍片结构于基板之上、形成多晶硅结构于鳍片结构之上、移除与多晶硅结构相邻的鳍片结构以形成开口以及形成源极/漏极区于开口之中。形成源极/漏极区包含将开口之中的鳍片结构暴露于：在气流循...

本发明提供一种集成电路装置的制造方法，所述方法包括：沉积硬质掩模材料的第一层于介电材料的层之上；蚀刻硬质掩模材料的第一层，硬质掩模材料的被蚀刻的第一层包括具有第一侧向尺寸的被蚀刻部分；沉积硬质掩模材料的第二层于硬质掩模材料的第一层之上；...

本技术实施例涉及极紫外辐射源装置。一种极紫外辐射源装置包含：极紫外源容器；锡层，其设置于所述极紫外源容器中；腔室，其设置为邻近于所述极紫外源容器；及第一过滤器，其设置于所述腔室中，其中所述第一过滤器包含膜及设置于所述膜上的网，且所述膜及...

本公开一些实施例提供一种使用粒子控制系统在沉积工艺中减少基板上的粒子污染的系统和方法，提供了膜沉积系统和在膜沉积系统中控制粒子的方法。在一些实施例中，膜沉积系统包括能密封以产生加压环境的工艺腔室，配置以在加压环境中包含等离子体、靶材以及...