本文描述的技术包括以减小工艺复杂性的选择性方式形成用于半导体器件的纳米结构晶体管的p型源极/漏极区域和n型源极/漏极区域的相应(不同)类型的金属硅化物层。例如，可以在第一纳米结构晶体管的p型源极/漏极区域上方选择性形成p型金属硅化物层(...

本公开实施例的一个方面涉及集成电路(IC)结构及其形成方法。IC结构可以包括以第一间距设置的第一多个热通孔和以第二间距设置的第三多个热通孔，第二间距大于第一间距。

本发明提供一种包括用于执行方法的计算机可执行指令的计算机可读媒体。此方法包括：产生包括多个构件的集成电路的示意图，每个构件与一种格式相关联，该格式指示表示相应电路功能的匹配组；将第一装置阵列布局和第二装置阵列布局合并，以形成第三装置阵列...

方法包括：沿晶圆形成第一接合焊盘；将第一管芯接合至第一组第一接合焊盘，第一管芯电连接至晶圆；在晶圆上方和第一管芯周围沉积间隙填充电介质；在间隙填充电介质中形成开口；形成与第二组第一接合焊盘物理接触的第一有源贯穿通孔以及与第三组第一接合焊...

方法包括：在晶圆的半导体衬底上形成第一集成电路器件和第二集成电路器件；形成金属层作为晶圆的一部分；以及形成包括连接至第一集成电路器件的第一源极/漏极区域的晶体管。晶体管比金属层更远离半导体衬底。在晶圆的表面上形成电连接至晶体管的第二源极...

本揭露的实施例提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：一第一源极/漏极区；一第二源极/漏极区；一鳍形结构，设置于该第一源极/漏极区与该第二源极/漏极区之间；及一栅极结构，设置于该鳍形结构的一顶表面及多个侧壁上，其中该栅极结构包括...

本申请的实施例提供了一种集成电路封装结构及其制造方法。制造集成电路封装结构的方法包括将顶部管芯接合到底部管芯，在顶部管芯上沉积第一介电衬垫，以及在第一介电衬垫上沉积间隙填充层。间隙填充层的第一热导率值高于氧化硅的第二热导率值。该方法还包...

方法包括在半导体衬底上形成集成电路器件、形成贯穿半导体衬底的通孔、以及形成围绕通孔的伪图案。伪图案包括具有第一图案密度的第一多个伪图案和第二多个伪图案。第一多个伪图案位于通孔和第二多个伪图案之间。第二多个伪图案具有不同于第一图案密度的第...

一种形成半导体结构的方法，包括：在具有第一翘曲的封装组件上沉积介电层；以及实施注入工艺，以利用应力调制掺杂剂对介电层进行注入。在注入工艺之后，封装组件具有小于第一翘曲的第二翘曲。本申请的实施例还涉及半导体结构。

一种用于晶圆湿工艺的系统及方法，方法包含：将一晶圆置放于充满一工艺溶液的一工艺槽中；在将该晶圆置放于该工艺槽中之后，判定该晶圆在一预设工艺时间之后是否处于该工艺槽中；及回应于判定该晶圆在该预设工艺时间之后处于该工艺槽中的判定，在该晶圆处...

电子存储器器件包括存储器单元电路。该电子存储器器件还包括非存储器单元电路。非存储器单元电路包括有源区。在俯视图中，有源区沿着第一方向延伸。有源区包括第一区段和第二区段。第一区段具有在俯视图中沿着第二方向测量的第一尺寸。第二区段具有在俯视...

一种半导体结构可包括具有第一电性接合结构形成在第一介电层内的第一部件，具有第二电性接合结构形成在第二介电层内的第二部件以及形成在第一介电层和第二介电层之间的有机基底层。有机基底层包括碳链结构，使得第一介电层可以通过在第一介电层、有机基底...

在封装器件中，其中，集成电路器件接合至衬底，可以通过将应力缓冲空气间隙掺入至保护材料(诸如间隙填充氧化物)中来减轻或消除由机械应变、CTE失配等引起的应力。空气间隙可以通过在沉积工艺期间调整和改变沉积参数和/或通过调整封装件中的相邻集成...

提供一种晶圆卡盘组件。在一个实施例中，晶圆卡盘组件包括毂、安装到毂的多个臂以及多个保持器。每个臂从毂向外延伸，并且每个臂具有邻近毂的近端和远离毂的远端。每个保持器安装在每个相应臂的远端处，并且每个保持器具有配置为支撑晶圆的多个支撑销。本...

本申请涉及用于极紫外光刻法的含硫醇光致抗蚀剂组合物。所述光致抗蚀剂组合物可用于制造半导体器件，制造半导体器件的方法包括在基板上方由光致抗蚀剂组合物形成光致抗蚀剂层。将所述光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂...

方法包括：将底部管芯接合至载体；以及将顶部管芯接合至底部管芯。顶部管芯包括半导体衬底，并且半导体衬底具有第一热导率。方法还包括：将顶部管芯密封在间隙填充区域中；将支撑衬底接合至顶部管芯和间隙填充区域以形成重构晶圆，其中，支撑衬底具有高于...

封装件包括第一集成电路管芯以及位于第一集成电路管芯上方并且接合至第一集成电路管芯的第二集成电路管芯。第二集成电路管芯的第一表面区域是疏水的，并且第一集成电路管芯和第二集成电路管芯用电介质至电介质接合和金属至金属接合而接合在一起。封装件还...

方法包括：在封装组件上沉积第一金属层，其中，封装组件包括第一器件管芯；在封装组件上形成介电层；以及在第一金属层上镀金属热界面材料。介电层包括位于金属热界面材料的相对侧上的部分。散热器接合在金属热界面材料上。散热器包括物理结合至金属热界面...

一种记忆体装置经提供，且包括记忆体阵列、第一锁存电路至第二锁存电路，及门控电路。读取操作及写入操作分别由内部时脉信号的第一边缘及第二边缘触发。第一锁存电路响应于输入信号及第一锁存时脉信号产生第一输出信号，第一锁存时脉信号的第一边缘基于内...

介绍了光学器件及其制造方法，其中玻璃中介层与光学器件结合在一起。在一些实施例中，一种方法包括：形成第一光学封装件，然后将第一光学封装件接合至第一玻璃中介层。然后，第一玻璃中介层可以连接至第二中介层。