【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、硅通孔(tsv)用作器件管芯中的电路径，使得器件管芯相反侧上的导电部件可以互连。tsv的形成工艺可以包括蚀刻半导体衬底以形成开口、用导电材料填充开口以形成tsv、执行背侧研磨工艺以从背侧去除半导体衬底的一部分并暴露tsv、以及在半导体衬底的背侧形成电连接件以连接tsv。
技术实现思路
1、本申请的一些实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在半导体衬底上形成集成电路器件；形成贯穿所述半导体衬底的第一通孔；以及形成围绕所述第一通孔的伪图案，其中，所述伪图案包括：第一多个伪图案，具有第一图案密度；和第二多个伪图案，其中，所述第一多个伪图案位于所述第一通孔和所述第二多个伪图案之间，并且其中，所述第二多个伪图案具有与所述第一图案密度不同的第二图案密度。
2、本申请的另一些实施例提供了一种半导体结构，包括：半导体衬底；第一互连结构，覆盖所述半导体衬底；第二互连结构，位于所述半导体衬底下方；通孔，贯穿所述半导体衬底，其中，所述通...
【技术保护点】
1.一种形成半导体结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述伪图案还包括第三多个伪图案，其中所述第一多个伪图案和所述第二多个伪图案位于所述第一通孔和所述第三多个伪图案之间，其中，所述第三多个伪图案具有不同于所述第一图案密度和所述第二图案密度的第三图案密度。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第三图案密度大于所述第二图案密度，并且所述第二图案密度大于所述第一图案密度。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一通孔包括：
5.根据权利要求4所述的方法，还包括：在所述半导体衬底的背侧上形成附加伪...
【技术特征摘要】
1.一种形成半导体结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述伪图案还包括第三多个伪图案，其中所述第一多个伪图案和所述第二多个伪图案位于所述第一通孔和所述第三多个伪图案之间，其中，所述第三多个伪图案具有不同于所述第一图案密度和所述第二图案密度的第三图案密度。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第三图案密度大于所述第二图案密度，并且所述第二图案密度大于所述第一图案密度。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一通孔包括：
5.根据权利要求4所述的方法，还包括：在所述半导体衬底的背侧上形成附加伪图案，其中，所述附加伪图...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘国俨，林昭仪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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