【技术实现步骤摘要】
本揭露关于半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、随着半导体装置变得愈来愈小，各种处理技术适用于制造具有愈来愈小的尺寸的装置。随着半导体装置不断缩小，在现存工艺技术及现存装置结构中可能会出现新的挑战。举例而言，在制造鳍式场效晶体管(fin field effect transistor，finfet)时，共形膜经沉积为栅极介电层及栅电极层。然而，随着装置尺寸缩小，共形形成的膜可导致栅极泄漏或其他缺陷，此是因为共形膜的顶部部分可能变得更薄或在处理期间遭受损坏。
技术实现思路
1、根据本揭露的一些实施例，一种半导体装置包括：一第一源极/漏极区；一第二源极/漏极区；一鳍形结构，设置于该第一源极/漏极区与该第二源极/漏极区之间；及一栅极结构，设置于该鳍形结构的一顶表面及多个侧壁上，其中该栅极结构包括：一栅极介电层；及一功函数金属膜堆叠，其中该功函数金属膜堆叠在厚度及相中的至少一者方面是非共形的。
2、根据本揭露的一些实施例，一种半导体装置包括：一第一源极/漏极区；一第二源极/漏极区；一...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该功函数金属膜堆叠在该鳍形结构的该顶表面上具有一第一厚度且沿着该鳍形结构的所述多个侧壁具有一第二厚度，且该第一厚度大于该第二厚度。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该功函数金属膜堆叠包括：
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该第一功函数金属层在该鳍形结构的该顶表面上比在该鳍形结构的所述多个侧壁上具有一更大的厚度。
5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该第二功函数金属层在该鳍形结构的该顶表面上比在该鳍形...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该功函数金属膜堆叠在该鳍形结构的该顶表面上具有一第一厚度且沿着该鳍形结构的所述多个侧壁具有一第二厚度，且该第一厚度大于该第二厚度。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该功函数金属膜堆叠包括：
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该第一功函数金属层在该鳍形结构的该顶表面上比在该鳍形结构的所述多个侧壁上具有一更大的厚度。
5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该第二功函数金属层...
【专利技术属性】
技术研发人员：王贻泓，龚晖轩，黄以理，林盈汝，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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