显示装置制造方法及图纸

本公开涉及显示装置，并且更具体地，涉及能够修复晶体管的显示装置。根据本公开的一个或多个实施方式，显示装置包括包含有发光元件和主晶体管的主像素以及与主像素相邻的辅助像素，辅助像素包括具有与主晶体管的特性相同的特性的辅助晶体管。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及显示装置，并且更具体地，涉及能够修复晶体管的显示装置和包括显示装置的光学装置。

技术介绍

1、头戴式显示器(hmd)是以眼镜或头盔的形式穿戴在用户的头上并且聚焦在靠近用户眼睛的距离上的图像显示装置。头戴式显示器可实现虚拟现实(vr)或增强现实(ar)。

2、头戴式显示器使用多个透镜放大并且显示在小型显示装置上显示的图像。因此，应用于头戴式显示器的显示装置需要提供高分辨率图像，例如，具有3000像素/英寸(ppi)或更高的分辨率的图像。为此，作为高分辨率的、小型有机发光显示装置的硅上有机发光二极管(oledos)用作应用于头戴式显示器的显示装置。oledos是通过在其上设置有互补金属氧化物半导体(cmos)的半导体晶片衬底上设置有机发光二极管(oled)来显示图像的装置。

技术实现思路

1、本公开的实施方式的各方面和特征提供了能够修复晶体管的显示装置和包括显示装置的光学装置。

2、根据本公开的一个或多个实施方式，显示装置包括包含有发光元件和主晶体管的主像素以及与主像素相邻的辅助本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种显示装置，包括：

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述辅助像素不包括发光元件。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述辅助像素的整个区域被阻光层覆盖。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述主晶体管电连接到所述主像素的像素电路，以及

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述主晶体管的栅极、源极和漏极中的至少一个与所述主像素的像素电路电分离，以及

6.根据权利要求5所述的显示装置，还包括修复线，所述修复线将所述辅助晶体管的所述栅极、所述源极和所述漏极中的至少一个与所述主像素的所述像素电路连接。...

【技术特征摘要】

1.一种显示装置，包括：

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述辅助像素不包括发光元件。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述辅助像素的整个区域被阻光层覆盖。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述主晶体管电连接到所述主像素的像素电路，以及

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述主晶体管的栅极、源极和漏极中的至少一个与所述主像素的像素电路电分离，以及

6.根据权利要求5所述的显示装置，还包括修复线，所述修复线将所述辅助晶体管的所述栅极、所述源极和所述漏极中的至少一个与所述主像素的所述像素电路连接。

7.根据权利要求5所述的显示装置，还包括：

8.根据权利要求7所述的显示装置，还包括扫描线，

9.根据权利要求7所述的显示装置，还包括扫描线，

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述辅助晶体管的沟道长度和沟道宽度与所述主晶体管的沟道长度和沟道宽度相同。

11.根据权利要求1所述的显示装置，还包括与所述主晶体管和所述辅助晶体管重叠的修复线。

12.根据权利要求11所述的显示装置，还包括与...

【专利技术属性】
技术研发人员：李智慧，郭眞善，金璟陪，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：