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本揭露的实施例提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：一第一源极/漏极区；一第二源极/漏极区；一鳍形结构，设置于该第一源极/漏极区与该第二源极/漏极区之间；及一栅极结构，设置于该鳍形结构的一顶表面及多个侧壁上，其中该栅极结构包括：一...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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