【技术实现步骤摘要】
本公开涉及光电子制造，特别涉及一种改善绝缘层破裂的发光二极管及其制备方法。
技术介绍
1、发光二极管(英文：light emitting diode，简称：led)是常见的制品。led通常是在衬底上制造各种膜层并进行图形化处理后，并进行切割形成的一颗一颗的led芯粒。
2、相关技术中，在制备发光二极管时，首先，在衬底上形成外延层和位于外延层的表面上的第一电极；然后，在外延层上形成包裹第一电极的绝缘层，绝缘层还具有露出外延层的过孔；接着，在导电基板的表面和绝缘层的表面均形成键合金属，通过键合金属将导电基板和绝缘层键合在一起，并去除衬底。
3、由于制备发光二极管的过程中，在发光二极管的部分表面或多或少会留存有细微颗粒。而在高压键合的工况下，这些细微颗粒会挤压并顶破绝缘层，导致绝缘层两侧的金属材料导通，从而造成发光二极管出现漏电失效的问题。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种改善绝缘层破裂的发光二极管及其制备方法，能改善绝缘层在键合过程中易破裂而导致发光二极管出现漏...
【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：外延层(20)、电极(30)和绝缘层(40)，所述电极(30)位于所述外延层(20)的表面上，所述绝缘层(40)位于所述电极(30)的表面上；
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属阻挡层(42)包括两层粘附金属层(421)和抗压金属层(422)，所述抗压金属层(422)夹设在两层所述粘附金属层(421)之间。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述金属阻挡层(42)还包括拦截金属层(423)，所述拦截金属层(423)夹设在所述抗压金属层(422)和任一所述粘附...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：外延层(20)、电极(30)和绝缘层(40)，所述电极(30)位于所述外延层(20)的表面上，所述绝缘层(40)位于所述电极(30)的表面上；
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属阻挡层(42)包括两层粘附金属层(421)和抗压金属层(422)，所述抗压金属层(422)夹设在两层所述粘附金属层(421)之间。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述金属阻挡层(42)还包括拦截金属层(423)，所述拦截金属层(423)夹设在所述抗压金属层(422)和任一所述粘附金属层(421)之间。
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述拦截金属层(423)包括pt层和ti层中的至少一种。
5.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述粘附金属层(421)包括ti层，所述抗压金属层(422)包括au层和a...
【专利技术属性】
技术研发人员：江宾，张舜，宋飞翔，石跃航，韩艺蕃，
申请(专利权)人：京东方华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：
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