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本公开提供了一种改善绝缘层破裂的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层、电极和绝缘层，所述电极位于所述外延层的表面上，所述绝缘层位于所述电极的表面上；所述绝缘层包括：绝缘材料层和金属阻挡层，所述金属阻挡层位...
该专利属于京东方华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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